原创 步进电机驱动笔记-H桥续流二极管问题

我也想知道，续流对二极管有什么要求？如果不采用额外的二极管，仅靠power mos 的寄生二极管来续流，能否满足要求？

嗯嗯嗯，这个太感谢了，我没有考虑断电情况下，这个耗能的作用，太赞了！！我之前遇到过在高压的时候容易烧坏几个MOS和栅极驱动芯片，一直在这块电路上做文章来，主要也是吸收电机突然堵转时候的耗能。

你图中那个UF2D，是快恢复二极管。 可以改善IRF540中的寄生二极管的高频反应速度慢的问题。同时R62和D8（在电机线圈另一侧应该还有相同的电路）也防止在H驱动器4个MOS管完全关断（例如驱动器断电时），由于惯性运动中的电机线圈发电效应产生的感应电动势对驱动器的直流电源的滤波电容持续充电，可能导致电压升高到超过MOS管耐压或击穿滤波电容。 所以R62和D8主要是用来吸收电机因惯性或受外力影响自行旋转而发电产生的能量。 通常叫做能耗制动电路。（电机线圈将转动机械能转换成感应电能，被此二极管电阻网路所消耗，电流经过电阻变成热能）。

嗯，讲的不错，你是高手，赞一个。

所谓MOS管甚至ＩＧＢＴ模块内部的寄生二极管其实是厂家考虑潜在的客户应用需求而增加的。　对于电机线圈，甚至是逆变电源的脉冲变压器初级，主要的挑战是高频变换电流幅值和方向时这个寄生的泄流二极管的等效电容效应。所以一般是快速二极管（肖特基二极管只是其中一种，肖特基二极管有反向击穿电压不高的弱点），所以才要仔细挑选合适的ＭＯＳ管型号。实在不行，只好在外面再附加开关二极管。　对于Ｈ型驱动，必须明白电机线圈的电流电压的４象限转换过程，这是设计驱动电路的依据！

哈哈，不是哦，MOS管内部是带寄生二极管的，用来泻放电流。我的问题是，这样的二极管能否满足泻放条件。

从作者提交的步进电机驱动原理图，没有看出步进电机线圈接到哪里，是那个标志A+ 的点吗？ 在我看来：电阻R40，R42是为了快速给MOS管栅极等效电容充电以利MOS管快速导通，D5，D6是为了快速给MOS管栅极等效电容放电以便快速关断MOS管。不是很容易理解吗？下面的桥式组件中的二极管是为了给电机线圈一个反向泄流的通道，哪怕驱动最简单的继电器线圈还要并接泄流二极管呢，何况带动电机线圈的是工作在高频脉冲开关状态的MOS管！ 没有这些泄放二极管，你电机线圈的连续电流难道也要变成脉冲方波？你敢对抗楞次定律？ 这可是初中物理就介绍过的！ 再有这样的问题可以提出来（TEL：13501156702），我试试，哈哈。

很好，赞lz！