原创 IGBT的技术和市场

最近几年，IGBT的市场蓬勃发展，其发展速度（年增长率）远远超过其他的功率器件， 如MOSFET, Diode 等。 众所周知，这与这几年全球所创导的 绿色能源， 变频节能， 高铁建设，和 电动汽车分不开 ，这些应用都需要用到IGBT。

      从技术角度来看， IGBT的工艺技术已经到了一个新的领域，从原来的穿透型 （PT：Punch Through）, 非穿透型（NPT：Non Punch Throgh )，到现在的场截止型（FS：Fiield Stop ,多数的是TFS：Trench Field Stop  或者TGFS：Trench Gate Filed Stop ，这些都可以认为是同一工艺， 只是叫法不一样 ） 。 IGBT的性能得到了逐步提高， 更低的导通损耗， 更快的开关频率，更低的开关损耗，这些都大大地扩大了IGBT的应用范围。

      正是如此，市场的增长， 技术的成熟， 吸引了更多的玩家进入这一功率领域。 君不见，短短几年之内， IGBT如雨后春笋般的露了出来投放市场， 除了老牌的不说，如Mitsubishi, Infineon, Fuji, IR, Faichild (他们也在不断的推成出新,推出新产品）...... 新的厂家不断地涌入这一市场， 如 AOS, Trinno 等等， 当然国内的厂家也当仁不让，如 BYD .

       对应用者来说，更多的供应商，更多的选择，更大的竞争， 同时也意味的更好的价格,这是美事一樁。 产品的选择，从应用者的角度来看，性价比是王道， 谁的性价比高就用谁的产品 （普遍情况下） 。产品性能可以通过技术参数表和实际测试来体现，产品价格获得相对比较困难，同时还有一个价格谈判的过程，但是通过多种渠道可以了解到参考价格。而且竞争越强，价格越透明。