原创 2011年DRAM产业

2011年DRAM产业中，虽然三星电子(SamsungElectronics)已揭露大扩产计划，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，以及将现有Line-15升级至35纳米制程，但综观整个DRAM产业的位元成长率，仍都是来自于制程微缩为主，包括三星35纳米制程将在2011年下半超过50%，以及海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)的30纳米制程也都将在第2季大量产出，集邦科技预估2011年全球DRAM产业位元成长率(BitGrowth)将增加50%。

　　三星电子2010年上半宣布的巨额资本支出计划震撼半导体产业，其中主要的资本支出都以半导体和面板为主，预计投资在存储器的金额高达9兆韩元，包括兴建12寸晶圆厂Line-16，其月产能将达20万片，以及将现有Line-15升级至35纳米制程，同时也有另一部分的资本支出适用于晶圆代工和逻辑事业上。