MOSFET最重要的两个参数是漏源电压（VDSS）和导通电阻RDS(ON)。电流值和最大耗散功率值必须仔细观察，因为它们只有当背板温度到25OC时才能达到，切换时间仅在满足数据说明书中所描述的特定条件下才适用。
一般来说Renesas高压MOS数据手册主要包含以下几个部分：特性、极限值、电气特性以及典型特性。
发布
/1 
文章评论（0条评论）
登录后参与讨论