原创 Renesas高压MOS所具有的性能优势

　　1、  具有比较低的Qg

　　2、  Vgs电压±30 V

　　3、  具有比较低的导通阻抗

　　4、  很好的防雪崩能力

　　   Renesas MOS采用了五代UMOS工艺，可以把R_DS(ON)做的比较小，2SK3298B的导通电阻只有0.75欧姆，可以大大减少MOS的损耗。

　　       极限值部分给出了10个参数的绝对最大值。器件运行的时候一定不能超过此值，否则会造成MOS永久的损坏。其中，尤其需要注意漏极电流和耗散功率的值是在25^OC时给出的，在实际运行中只能作为参考。