-
用户315961
2010-12-26 15:14
-
RDS(ON)随VGS的变化曲线
-
1、R DS(ON) 随V GS 的变化曲线： 由图可知，当V GS 在小于10V的时候，R DS(ON) 是比较大的，特别是在小于7-8V的时候，R DS ...
-
-
用户315961
2010-12-26 15:14
-
电气特性
-
电气特性部分主要含有几个重要的参数：开启关断时间参数、跨导参数、结电容参数以及体内二极管参数等。Renesas高压MOS一般要比同类型的其它牌子的MOS开关速度快 ...
-
-
用户315961
2010-12-26 15:13
-
Renesas高压MOS所具有的性能优势
-
Renesas高压MOS所具有的性能优势： 1、 具有比较低的Qg 2、 Vgs电压±30 V 3、 具有比较低的导通阻抗 4、 很好的防雪崩能力 ...
-
-
用户315961
2010-12-26 15:13
-
优点
-
MOSFET以其电压控制、开关频率高、开关速度快等优点，广泛应用于电源等产品中。Renesas高压MOS涵盖漏源电压（V DSS ）等级600V、800V、900V、1400V，具有极低 ...
-
-
用户315961
2010-12-26 15:12
-
电源控制芯片产能
-
为了因应全球节能需求日益高涨，东芝(Toshiba)和瑞萨电子(Renesas Electronics)等日本半导体厂商纷纷计划增强可删减家电耗电力的电源控制芯片产能。据报导，瑞萨 ...
-
关闭
站长推荐
/1 
