由图可知，当VGS在小于10V的时候，RDS(ON)是比较大的，特别是在小于7-8V的时候，RDS(ON)几乎是无穷大,管子几乎没有开启。所以我们建议驱动电压一般要在10V以上，这样可以获得比较低的导通阻抗和减小MOS的损耗。
2、由数据手册得到Renesas高压MOS的CISS、COSS、、CRSS是比较大的，所以为了获得比较好的驱动波形，建议栅极驱动电阻不要太大，尽量在几十欧姆。
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