原创 对SDRAM中“突发（Burst）” 的理解

对SDRAM中“突发（Burst）” 的理解

在模式寄存器中需要设置SDRAM的突发长度、突发类型以及其它的一些设置。我们这里这种讲解“突发长度” 、“ 突发类型”。有这样的一张表格：

我现在有三个疑问：

                     （1）突发的概念。

（2）1、2、4、8、全页代表什么。

（3）全页、保留有什么区别，即A3的作用。

              那么，我们现在就开始探索一下这三个问题：

1.      突发的概念

首先，从《高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版》上找“突发”的概念，Burst与其翻译成突发不如翻译成连续。

所谓的“突发”是指当我们对一个地址进行寻址并操作完成后，不必再重新对下一个地址进行寻址，而是直接进行操作。这样就节省了很多的时间。具体的情况也很简单就是节省了延时的那段时间。

读：初始化→发行地址→RCD→发列地址→CL→数据

写：初始化→发行地址→RCD→发列地址→数据

即RCD，《高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版》上说还有CL，不知对吗，我认为CL不可节省，之后的数据用一个周期就可以获得。

这里的突发长度（即BL）为4。我相信突发已经将清楚了，其他的后面再谈。

2. 1、2、4、8、全页代表什么？

答：突发长度（BL）的值，即连续读几个列地址。

所谓的对页（Page）操作是指对P-Bank中的每一个芯片的同一个L-Bank、同一个行地址，进行操作。Ok，这个问题也解释清楚了。

       3.全页、保留有什么区别，即A3的作用。

上面的那张表表达并不完善，下面的这张表表述的更清晰一些

有了这张表，我们就可以很清晰的理解了A3的作用了，所谓的A3是控制突发类型的，A3=0是顺序、A3=1是交替。一般我们将A3设为0。

附录：

SDRAM框架