1.1 标准晶振电路设计,为一样标准的模块电路提供统一的标准,避免呈现商品功用和性能的缺点。
电子线路板它具有一个输入端口,通常被称为(XIN)和一个输出端口(XOUT)这两个端口之间的晶体连接.大多数芯片的设计与一个选项,无论是由一个外部晶体振荡器馈送到晶体输入端口,或与外部晶体.
2 适用范围
2.1 本标准适用于本公司一切商品的晶振电路设计。
3 职责
3.1 商品审核部:担任原理图设计标准的拟定及保护,总结标准模块电路。
3.2 各有关部分:恪守本标准并按请求履行。
4 名词解释
4.1 压电效应:压电晶体在沿必定方向上遭到外力的效果而变形时,其内部会发作极化,在它的两个相对表面上呈现正负相反的电荷。
4.2 逆压电效应:对压电晶体沿必定方向施加电场导致晶体机械变形的景象。
5 主要内容
5.1 晶体振动原理
石英晶体的材质为SiO2,抱负的晶体结构是六方晶系,为各向异性的压电晶体,具有压电和逆压电效应。当在石英晶体能发作电荷的两个面上加以交变电压,石英晶体会发作周期性的机械振动,周期性的机械振动又使得晶体两头发作交变的电压。当外加交变电压的频率为某一特定值时,晶体振幅显着加大,比其它频率下的振幅大得多,发作共振,这种景象称为压电谐振。晶体谐振器恰是运用晶体的压电谐振特性来发作固定的谐振频率。
5.2 晶体振动电路
5.2.1 基频振动
5.2.1.1基频振动电路 晶体工作在其基频振动状况,晶片厚度与振动频率成反比,振动频率越高,请求晶片越薄。基频振动电路,请求振动电路满意三点式振动电路请求。Rf为反应电阻,其效果是安稳输出起伏和相位,其取值为200K~1Mohm;R1为驱动限流电阻,约束反向放大器输出起伏,一起起到按捺EMI的效果;该电阻能够不运用,但当芯片输出功率较大时,或是振动频率较高时,主张运用该限流电阻,以避免晶体被过驱动;该电阻不能太大,其阻值应与C2电容的电抗值(在振动频率下)相当;C1,C2为负载电容。沟通等效电路。
5.2.1.2基频振荡电路负载电容
石英晶体谐振器的负载电容为从其两个端子看向振荡回路的所有电容值。
文章评论(0条评论)
登录后参与讨论