一、引言
随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用,对其衬底质量的检测愈发关键。BOW(翘曲度)和 WARP(弯曲度)是衡量碳化硅衬底质量的重要参数,准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要。而不同的吸附方案会对测量结果产生不同程度的影响。
二、常见吸附方案概述
在碳化硅衬底测量中,常见的吸附方案包括真空吸附、静电吸附等。真空吸附通过产生负压将衬底固定,操作相对简单,但可能存在吸附不均匀的情况。静电吸附则利用静电引力固定衬底,吸附力分布较为均匀,但对环境要求较高。
三、特氟龙夹具的特点
特氟龙夹具具有良好的化学稳定性和低摩擦系数。其表面较为光滑,在与碳化硅衬底接触时,能减少对衬底表面的损伤。同时,特氟龙材料的绝缘性能也有助于避免因静电等因素对测量产生干扰。
四、对测量 BOW/WARP 的影响分析
在测量 BOW 时,特氟龙夹具由于其稳定的接触特性,能够更均匀地支撑碳化硅衬底,相比一些真空吸附方案,减少了因局部吸附力不均导致的衬底额外变形,从而能更准确地反映衬底的真实翘曲度。在测量 WARP 方面,特氟龙夹具的低摩擦特性可防止在测量过程中因衬底与夹具之间的相对移动而产生测量误差。而其他吸附方案,如静电吸附,虽然吸附力均匀,但可能因环境湿度等因素改变吸附效果,进而影响测量的准确性。
五、高通量晶圆测厚系统
高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决晶圆/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)、BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),TIR(Total Indicated Reading 总指示读数,STIR(Site Total Indicated Reading 局部总指示读数),LTV(Local Thickness Variation 局部厚度偏差)等这类技术指标。
高通量晶圆测厚系统,全新采用的第三代可调谐扫频激光技术,相比传统上下双探头对射扫描方式;可一次性测量所有平面度及厚度参数。
1,灵活适用更复杂的材料,从轻掺到重掺 P 型硅 (P++),碳化硅,蓝宝石,玻璃,铌酸锂等晶圆材料。
重掺型硅(强吸收晶圆的前后表面探测)
粗糙的晶圆表面,(点扫描的第三代扫频激光,相比靠光谱探测方案,不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响,因而对测量粗糙表面晶圆)
低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3);(通过对偏振效应的补偿,加强对低反射晶圆表面测量的信噪比)
绝缘体上硅(SOI)和MEMS,可同时测量多 层 结 构,厚 度 可 从μm级到数百μm 级不等。
可用于测量各类薄膜厚度,厚度最薄可低至 4 μm ,精度可达1nm。
2,可调谐扫频激光的“温漂”处理能力,体现在极端工作环境中抗干扰能力强,充分提高重复性测量能力。
采用第三代高速扫频可调谐激光器,一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式,解决了由于相干长度短,而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰,实现小型化设计,同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。
3,灵活的运动控制方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。
文章评论(0条评论)
登录后参与讨论