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ONEZ
2025-3-6 09:40
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改善碳化硅外延层基平面位错的生长方法
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碳化硅（SiC）外延层在半导体材料制备过程中具有重要地位，而其基平面位错（BPD）对外延器件的性能有着关键性影响。BPD会导致器件性能的退化甚至失效，特别是在 ...
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ONEZ
2025-3-5 14:07
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Twyman-Green型干涉（泰曼-格林干涉）的测量原理
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Twyman-Green型干涉（泰曼-格林干涉）的测量原理基于光的干涉现象，特别是相干光的叠加原理。以下是对其测量原理的详细解释： 一、基本原理 当两束相干光波在 ...
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ONEZ
2025-3-5 10:12
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矫正碳化硅外延片翘曲度的方法
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引言 碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在功率电子、高频通信、高温环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延片的制备 ...
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ONEZ
2025-3-4 15:31
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激光面型干涉仪和白光干涉仪的区别
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激光面型干涉仪和白光干涉仪都是基于干涉原理的光学测量仪器，但它们在光源、干涉条纹、测量范围、稳定性以及应用领域等方面存在显著的差异。以下是对这两种仪 ...
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ONEZ
2025-3-4 10:15
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防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法
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引言 碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其卓越的物理和化学性能，在功率电子、高频通信、高温环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延片的制备 ...
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ONEZ
2025-3-3 14:21
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除了迈克尔逊干涉和Linnik型干涉外，常见的干涉设计还有哪些？
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除了迈克尔逊干涉和Linnik型干涉外，常见的干涉设计还有多种，以下是一些主要的类型： 马赫-增德尔（Mach-Zehnder）干涉： 原理：通过分束器将一束光分成两束 ...
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ONEZ
2025-2-24 14:43
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去除碳化硅外延片揭膜后脏污的清洗方法
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引言 碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在功率电子、高频通信、高温及辐射环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延片 ...
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ONEZ
2025-2-11 15:15
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SiC外延片的化学机械清洗方法
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引言 碳化硅（SiC）作为一种高性能的半导体材料，因其卓越的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延 ...
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ONEZ
2025-2-11 09:52
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继经典迈克尔逊干涉后的零差式激光干涉技术的出现
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零差式激光干涉技术是在经典迈克尔逊干涉原理的基础上发展起来的一种高精度测量技术。以下是对这一技术的详细介绍： 一、经典迈克尔逊干涉原理 迈克尔逊干涉 ...
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ONEZ
2025-2-10 14:17
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外差式激光干涉和零差式激光干涉的区别
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外差式激光干涉和零差式激光干涉是两种不同的激光干涉测量技术，它们在工作原理、特点和应用方面存在显著的差异。以下是对这两种技术的详细比较： 一、工作原 ...
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ONEZ
2025-2-10 09:46
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有效抑制SiC外延片掉落物缺陷生成的方法
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引言 碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其出色的物理和化学特性，在功率电子、高频通信及高温环境等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在SiC外延生长过程 ...
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ONEZ
2025-2-8 14:45
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白光干涉仪的膜厚测量模式原理
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白光干涉仪的膜厚测量模式原理主要基于光的干涉原理，通过测量反射光波的相位差或干涉条纹的变化来精确计算薄膜的厚度。以下是该原理的详细解释： 一、基本原 ...
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ONEZ
2025-2-8 10:07
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应力消除外延生长装置及外延生长方法
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引言 在半导体材料领域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化学特性，如高硬度、高热导率、高击穿电场强度等，成为制造高功率、高频电子器件的理想材料。然而，在 ...
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2025-2-7 15:24
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白光干涉仪的光谱干涉模式原理
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白光干涉仪的光谱干涉模式原理主要基于光的干涉和光谱分析。以下是对该原理的详细解释： 一、基本原理 白光干涉仪利用干涉原理测量光程之差，从而测定有关物 ...
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ONEZ
2025-2-7 10:27
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碳化硅外延晶片硅面贴膜后的清洗方法
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引言 碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化学特性，在功率电子、高频通信、高温传感等领域具有广泛应用。在SiC外延晶片的制备过程中，硅面贴膜是一道关键 ...
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