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ONEZ 2025-3-28 11:41
终点检测技术,对于碳化硅衬底TTV均匀性的帮助
碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在高性能电子器件制造中得到了广泛应用。然而,碳化硅衬底的加工精度,尤其是总厚度变化(TTV ...
ONEZ 2025-3-25 11:06
减少研磨刀片与碳化硅衬底间振动,以提高碳化硅衬底TTV均匀性
碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在高性能电子器件制造中扮演着至关重要的角色。然而,碳化硅衬底的加工精度,尤其是总厚度变化 ...
ONEZ 2025-3-24 14:15
合适的装夹方式,可避免碳化硅衬底位移或晃动,提高碳化硅衬底TTV均匀性
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,因其优异的物理和化学性能,在高性能电子器件制造领域展现出巨大潜力。然而,碳化硅衬底的加工精度要求极高,尤其是在总厚 ...
ONEZ 2025-3-21 11:56
如何控制装夹力大小,以避免碳化硅衬底变形,影响碳化硅衬底TTV均匀性
碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在高性能电子器件制造中得到了广泛应用。然而,在碳化硅衬底的加工过程中,装夹力的大小对衬底 ...
ONEZ 2025-3-20 09:30
如何控制切割过程的冷却与润滑,提高碳化硅衬底TTV均匀性
碳化硅(SiC)作为一种高性能半导体材料,在电子器件制造中展现出巨大潜力。然而,碳化硅衬底的加工过程中,尤其是切割步骤,对最终产品的总厚度变化(TTV)具 ...
ONEZ 2025-3-19 13:40
降低切割速度,可能导致切割力不稳定,不利于碳化硅衬底TTV均匀性
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的关键材料。然而,碳化硅衬底的加工 ...
ONEZ 2025-3-18 09:39
如何调整切割参数,以提高碳化硅衬底TTV均匀性
在半导体材料制造领域,碳化硅(SiC)因其卓越的物理和化学性质,如高硬度、高热导率和化学稳定性,成为制造高性能电子器件的理想材料。然而,碳化硅衬底的加工 ...
ONEZ 2025-3-17 10:23
磨轮修整方法,对于碳化硅衬底TTV的管控影响
在半导体材料加工领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率和化学稳定性,正逐渐成为功率电子、高频器件以及高温、高压环境下工作的电 ...
ONEZ 2025-3-14 13:35
碳化硅衬底边缘TTV测量的意义和影响
在半导体材料科学中,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高热导率和优异的化学稳定性,正逐渐成为功率电子、高频器件以及极端环境下工作的电子 ...
ONEZ 2025-3-13 15:40
避免碳化硅衬底切片TTV不均匀的辅助和碳化硅衬底TTV管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)因其出色的物理和化学性质,正逐渐成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下电子器件的首选材料。然而,在碳化硅衬底的加工 ...
ONEZ 2025-3-13 09:51
白光干涉中,相移技术引入的相位变化
在白光干涉中,相移技术是一种重要的测量方法,它通过引入相位变化来获取被测物体的表面形貌或厚度等信息。以下是对白光干涉中相移技术引入的相位变化的详细解 ...
ONEZ 2025-3-12 13:40
碳化硅衬底背面减薄过程,对碳化硅衬底TTV的管控
在半导体材料领域,碳化硅(SiC)作为一种高性能的半导体材料,因其独特的物理和化学性质,正逐步成为功率器件、高频器件以及高温、高压环境下的首选材料。在碳 ...
ONEZ 2025-3-12 10:31
Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理
Mach-Zehnder型干涉(马赫-曾德尔干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象和相位差的变化。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本原理 马赫-曾德尔干涉仪 ...
ONEZ 2025-3-11 14:38
Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理
Linnik型干涉(林尼克干涉)的测量原理主要基于光的干涉现象,即光的波动性质导致光波在空间中叠加和干涉的现象。以下是对其测量原理的详细解释: 一、基本 ...
ONEZ 2025-3-11 11:10
降低外延片堆垛层错缺陷的外延方法及其应用
在现代半导体工艺中,外延片的质量直接影响到器件的性能和可靠性。堆垛层错是外延片常见的缺陷之一,它会导致器件的电学性能下降和可靠性问题。为了克服现有技 ...
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