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ONEZ 2025-1-23 15:08
迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理
迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现、条纹特征及形成机理是光学研究中的重要内容。以下是对这些方面的详细解释: 一、迈克耳孙干涉仪白光等倾干涉的实现 迈克 ...
ONEZ 2025-1-23 11:02
碳化硅衬底的特氟龙夹具相比其他吸附方案,对于测量碳化硅衬底 BOW/WARP 的影响
一、引言 随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用,对其衬底质量的检测愈发关键。BOW(翘曲度)和 WARP(弯曲度)是衡量碳化硅衬底质量的重要参数,准确测量这些 ...
ONEZ 2025-1-22 14:33
白光干涉为什么对于环境防振要求那么高
白光干涉对于环境防振要求高的原因,主要可以从其测量原理和应用需求两个方面来解释。 一、测量原理 白光干涉仪是利用干涉原理测量光程之差从而测定有关物理 ...
ONEZ 2025-1-22 09:55
测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于氮化镓衬底厚度测量的影响
在半导体产业这片高精尖的领域中,氮化镓(GaN)衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料,正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而,氮化镓衬底 ...
ONEZ 2025-1-21 14:46
为什么说白光干涉的扫描高度受限
白光干涉的扫描高度受限,主要是由于其测量原理和技术特点所决定的。以下是对这一问题的详细解释: 一、白光干涉的测量原理 白光干涉技术是一种基于光的波动 ...
ONEZ 2025-1-20 15:06
通过电光晶体的电光效应,实现白光干涉中的电光调制相移原理
通过电光晶体的电光效应,实现白光干涉中的电光调制相移原理,是一个基于物理光学和电光学原理的高级测量技术。以下是对这一原理的详细解释: 一、电光效应与 ...
ONEZ 2025-1-20 10:14
测量探头的 “温漂” 问题,对于氮化镓衬底厚度测量的实际影响
在半导体制造这一微观且精密的领域里,氮化镓(GaN)衬底作为高端芯片的关键基石,正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而,氮化镓衬底厚度测 ...
ONEZ 2025-1-17 14:55
通过声光介质的声光效应,实现白光干涉中的声光调制相移原理
通过声光介质的声光效应,实现白光干涉中的声光调制相移原理,是一个涉及光学和声学交叉领域的技术。以下是对这一原理的详细解释: 一、声光效应与声光调制 ...
ONEZ 2025-1-17 10:11
不同的氮化镓衬底的吸附方案,对测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在当今高速发展的半导体产业浪潮中,氮化镓(GaN)衬底宛如一颗耀眼的新星,凭借其卓越的电学与光学性能,在众多高端芯片制造领域,尤其是光电器件、功率器件等 ...
ONEZ 2025-1-16 14:52
氮化镓衬底的环吸方案相比其他吸附方案,对于测量氮化镓衬底 BOW/WARP 的影响
在半导体领域的璀璨星河中,氮化镓(GaN)衬底正凭借其优异的性能,如高电子迁移率、宽禁带等特性,在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角,成为推动行 ...
ONEZ 2025-1-16 09:46
通过改变光的偏振态,从而实现白光干涉中的光学相移原理
通过改变光的偏振态,从而实现白光干涉中的光学相移原理,是一个涉及光学原理和技术的复杂过程。以下是对这一过程的详细解释: 一、光的偏振态与白光干涉 ...
ONEZ 2025-1-15 15:22
基于光偏振与光学调制实现白光干涉相移
基于光的偏振特性和一些光学元件对光的调制作用,实现白光干涉中的光学相移原理是一个复杂而精细的过程。以下是对这一原理的详细解释: 一、光的偏振特性 光 ...
ONEZ 2025-1-15 09:57
测量探头的 “温漂” 问题,都是怎么产生的,以及对于碳化硅衬底厚度测量的影响
在半导体制造这一高精尖领域,碳化硅衬底作为支撑新一代芯片性能飞跃的关键基础材料,其厚度测量的准确性如同精密机械运转的核心齿轮,容不得丝毫差错。然而, ...
ONEZ 2025-1-15 09:43
测量探头的 “温漂” 问题,对于碳化硅衬底厚度测量的实际影响
在半导体制造的微观世界里,碳化硅衬底作为新一代芯片的关键基石,其厚度测量的精准性如同精密建筑的根基,不容有丝毫偏差。然而,测量探头的 “温漂” 问题却 ...
ONEZ 2025-1-15 09:22
怎么制备半导体晶圆片切割刃料?
半导体晶圆片切割刃料的制备是一个复杂而精细的过程,以下是一种典型的制备方法: 一、原料准备 首先,需要准备高纯度的原料,如绿碳化硅和黑碳化硅。这些 ...
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