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ONEZ
2025-1-10 11:13
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不同的真空吸附方式，对测量晶圆 BOW 的影响
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在半导体产业蓬勃发展的当下，晶圆作为芯片制造的基础材料，其质量把控贯穿整个生产流程。其中，晶圆的 BOW（弯曲度）测量精度对于确保后续工艺的顺利进行以及 ...
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ONEZ
2025-1-9 17:09
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晶圆的环吸方案相比其他吸附方案，对于测量晶圆 BOW/WARP 的影响
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在半导体制造领域，晶圆的加工精度和质量控制至关重要，其中对晶圆 BOW（弯曲度）和 WARP（翘曲度）的精确测量更是关键环节。不同的吸附方案被应用于晶圆测量过 ...
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ONEZ
2025-1-9 11:00
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反射镜的移动，实现白光干涉中的机械相移原理
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在白光干涉测量中，通过反射镜的移动来实现机械相移原理是一种常见且有效的方法。以下是对这一原理的详细解释： 一、基本原理 白光干涉测量技术基于光的波动 ...
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ONEZ
2025-1-8 16:12
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用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构
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一、引言 在半导体制造业中，外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积（CVD）作为一种主流的外延生长方法，被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD ...
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ONEZ
2025-1-8 11:06
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通过样品台的移动，实现白光干涉中的机械相移原理
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在白光干涉测量技术中，通过样品台的移动来实现机械相移原理是一种常用的且高精度的方法。这种方法基于光的波动性和相干性，通过改变样品台的位置，即改变待测 ...
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ONEZ
2025-1-7 16:36
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钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置
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一、引言 随着半导体技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的材料，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高 ...
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ONEZ
2025-1-7 11:14
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光学元件的插入与移除，实现白光干涉中的机械相移原理
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在白光干涉测量中，通过光学元件的插入与移除来实现机械相移原理是一种独特而有效的方法。这种方法的核心在于利用光学元件（如透镜、反射镜、棱镜等）对光路的 ...
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ONEZ
2025-1-6 15:25
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减少减薄碳化硅纹路的方法
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碳化硅（SiC）作为一种高性能半导体材料，因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率，在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过 ...
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ONEZ
2025-1-6 11:07
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白光干涉中，通过样品台的移动，实现机械相移技术
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一、基本原理 在白光干涉仪中，光源发出的光经过扩束准直后，通过分光棱镜被分成两束相干光：一束作为参考光，经过固定的光路到达干涉仪的接收屏；另一束作为 ...
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ONEZ
2025-1-3 15:44
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高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法
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碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的半导体材料，在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延生长是 ...
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ONEZ
2025-1-3 09:45
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白光干涉的技术演变过程
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一、初步应用阶段 在20世纪五六十年代，国内外相继出现了一些应用型白光干涉仪。这些干涉仪主要采用人工操作、读数、计算和测量评定某个参数，效率相对 ...
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ONEZ
2025-1-2 17:12
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检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的方法
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碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，SiC外延晶片在生产过程 ...
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ONEZ
2025-1-2 11:25
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白光干涉中的机械相移，对于反射镜移动的技术难点
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一、反射镜移动精度要求高 白光干涉测量对光程差的改变非常敏感，即使是微小的移动也会导致显著的相位变化。因此，反射镜的移动必须非常精确，通常要达到纳米 ...
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ONEZ
2024-12-31 15:45
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8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
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随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段 ...
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ONEZ
2024-12-31 10:52
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白光干涉中的光学相移原理
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一、基本原理 在白光干涉仪中，光源发出的光经过扩束准直后，通过分光棱镜被分成两束相干光：一束作为参考光，另一束作为待测光。这两束光在空间某点相遇时， ...
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