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ONEZ
2025-1-2 17:12
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检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的方法
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碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，SiC外延晶片在生产过程 ...
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ONEZ
2025-1-2 11:25
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白光干涉中的机械相移，对于反射镜移动的技术难点
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一、反射镜移动精度要求高 白光干涉测量对光程差的改变非常敏感，即使是微小的移动也会导致显著的相位变化。因此，反射镜的移动必须非常精确，通常要达到纳米 ...
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ONEZ
2024-12-31 15:45
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8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
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随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段 ...
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ONEZ
2024-12-31 10:52
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白光干涉中的光学相移原理
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一、基本原理 在白光干涉仪中，光源发出的光经过扩束准直后，通过分光棱镜被分成两束相干光：一束作为参考光，另一束作为待测光。这两束光在空间某点相遇时， ...
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ONEZ
2024-12-30 15:56
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沟槽结构碳化硅的外延填充方法
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一、引言 沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层，以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中，不仅要保证 ...
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ONEZ
2024-12-30 09:55
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白光干涉仪中的相位产生机制
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一、基于光程差的相位产生 基本原理： 当两束相干光波（如从同一光源发出的光波，经过不同路径后相遇）在空间某点相遇时，它们会产生干涉现象。 干涉条纹的 ...
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ONEZ
2024-12-27 14:29
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1um以下的光刻深度,凹槽深度和宽度测量
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一、白光干涉仪测量原理 白光干涉仪利用白光干涉原理，通过测量反射光与参考光之间的光程差来精确获取待测表面的高度信息。其测量精度可达到纳米级别，非常适 ...
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ONEZ
2024-12-27 10:30
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优化湿法腐蚀后碳化硅衬底TTV管控
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一、湿法腐蚀在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 湿法腐蚀是碳化硅衬底加工中不可或缺的一步，主要用于去除表面损伤层、调整表面形貌、提高表面光洁度等。 ...
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ONEZ
2024-12-26 10:42
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用于切割碳化硅衬底TTV控制的硅棒安装机构
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一、碳化硅衬底TTV控制的重要性 碳化硅衬底的TTV是指衬底表面各点厚度最高点与最低点之间的差值。TTV的大小直接影响后续研磨、抛光工序的效率和成本，以 ...
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ONEZ
2024-12-25 10:56
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降低碳化硅衬底TTV的磨片加工方法
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一、碳化硅衬底的加工流程 碳化硅衬底的加工主要包括切割、粗磨、精磨、粗抛和精抛（CMP）等几个关键工序。每一步都对最终产品的TTV有着重要影响。 ...
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ONEZ
2024-12-24 10:09
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碳化硅衬底修边处理后，碳化硅衬底TTV变化管控
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一、碳化硅衬底修边处理的作用与挑战 修边处理是碳化硅衬底加工中的一个关键步骤，主要用于去除衬底边缘的毛刺、裂纹和不规则部分，以提高衬底的尺寸精 ...
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2024-12-23 17:14
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激光退火后，碳化硅衬底TTV变化管控
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一、激光退火在碳化硅衬底加工中的作用与挑战 激光退火是一种先进的热处理技术，通过局部高温作用，能够修复碳化硅衬底中的晶格缺陷，提高晶体质量，优 ...
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2024-12-20 10:04
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带冷却功能的新型晶圆研磨盘技术
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带冷却功能的新型晶圆研磨盘技术是半导体制造领域中的一项重要创新，旨在解决传统研磨盘在研磨过程中温度变化的问题，确保研磨后产品的厚度和平整度达到极高标 ...
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ONEZ
2024-12-19 09:57
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晶圆背面涂敷工艺对晶圆的影响
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一、概述 晶圆背面涂敷工艺是在晶圆背面涂覆一层特定的材料，以满足封装过程中的各种需求。这种工艺不仅可以提高芯片的机械强度，还可以优化散热性能， ...
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ONEZ
2024-12-18 10:07
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高台阶基底晶圆贴蜡方法
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高台阶基底晶圆贴蜡方法是半导体制造中的一个关键步骤，特别是在处理具有高阶台金属结构的晶圆时。以下是一种有效的高台阶基底晶圆贴蜡方法： 一、方法概述 ...
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