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第三代功率半导体器件测试解决方案 直播时间： 03月06日 10:00
文章
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ONEZ 2025-1-8 16:12
- 用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构
- 一、引言 在半导体制造业中，外延生长技术扮演着至关重要的角色。化学气相沉积（CVD）作为一种主流的外延生长方法，被广泛应用于制备高质量的外延片。而在CVD ...
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- 通过样品台的移动，实现白光干涉中的机械相移原理
- 在白光干涉测量技术中，通过样品台的移动来实现机械相移原理是一种常用的且高精度的方法。这种方法基于光的波动性和相干性，通过改变样品台的位置，即改变待测 ...
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- 钟罩式热壁碳化硅高温外延片生长装置
- 一、引言 随着半导体技术的飞速发展，碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的材料，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。高 ...
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- 光学元件的插入与移除，实现白光干涉中的机械相移原理
- 在白光干涉测量中，通过光学元件的插入与移除来实现机械相移原理是一种独特而有效的方法。这种方法的核心在于利用光学元件（如透镜、反射镜、棱镜等）对光路的 ...
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- 减少减薄碳化硅纹路的方法
- 碳化硅（SiC）作为一种高性能半导体材料，因其出色的热稳定性、高硬度和高电子迁移率，在电力电子、微电子、光电子等领域得到了广泛应用。在SiC器件的制造过 ...
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- 白光干涉中，通过样品台的移动，实现机械相移技术
- 一、基本原理 在白光干涉仪中，光源发出的光经过扩束准直后，通过分光棱镜被分成两束相干光：一束作为参考光，经过固定的光路到达干涉仪的接收屏；另一束作为 ...
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- 高温大面积碳化硅外延生长装置及处理方法
- 碳化硅（SiC）作为一种具有优异物理和化学性质的半导体材料，在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域展现出巨大的应用潜力。高质量、大面积的SiC外延生长是 ...
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- 白光干涉的技术演变过程
- 一、初步应用阶段 在20世纪五六十年代，国内外相继出现了一些应用型白光干涉仪。这些干涉仪主要采用人工操作、读数、计算和测量评定某个参数，效率相对 ...
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- 检测碳化硅外延晶片表面痕量金属的方法
- 碳化硅（SiC）作为新一代半导体材料，因其出色的物理和化学性质，在电力电子、微波器件、高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。然而，SiC外延晶片在生产过程 ...
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- 白光干涉中的机械相移，对于反射镜移动的技术难点
- 一、反射镜移动精度要求高 白光干涉测量对光程差的改变非常敏感，即使是微小的移动也会导致显著的相位变化。因此，反射镜的移动必须非常精确，通常要达到纳米 ...
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- 8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构
- 随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段 ...
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- 白光干涉中的光学相移原理
- 一、基本原理 在白光干涉仪中，光源发出的光经过扩束准直后，通过分光棱镜被分成两束相干光：一束作为参考光，另一束作为待测光。这两束光在空间某点相遇时， ...
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- 沟槽结构碳化硅的外延填充方法
- 一、引言 沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层，以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中，不仅要保证 ...
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- 白光干涉仪中的相位产生机制
- 一、基于光程差的相位产生 基本原理： 当两束相干光波（如从同一光源发出的光波，经过不同路径后相遇）在空间某点相遇时，它们会产生干涉现象。 干涉条纹的 ...
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- 1um以下的光刻深度,凹槽深度和宽度测量
- 一、白光干涉仪测量原理 白光干涉仪利用白光干涉原理，通过测量反射光与参考光之间的光程差来精确获取待测表面的高度信息。其测量精度可达到纳米级别，非常适 ...
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