碳化硅(SiC)作为新一代半导体材料,因其出色的物理和化学特性,在高性能电子器件制造中得到了广泛应用。然而,在碳化硅衬底的加工过程中,装夹力的大小对衬底的变形和TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)均匀性有着重要影响。本文旨在探讨如何控制装夹力大小,以避免碳化硅衬底变形,进而影响其TTV均匀性。
一、装夹力对碳化硅衬底变形的影响
在碳化硅衬底的加工过程中,装夹力主要用于固定衬底,确保其在加工过程中的稳定性和位置精度。然而,过大的装夹力会导致衬底产生应力,进而引发变形,影响TTV的均匀性。具体表现在以下几个方面:
应力分布不均:过大的装夹力会在衬底表面产生不均匀的应力分布,导致衬底在加工过程中发生局部变形,进而影响TTV的均匀性。
晶格损伤:过大的装夹力还可能对碳化硅衬底的晶格结构造成损伤,导致晶体质量下降,进而影响其电学性能和可靠性。
加工误差:装夹力过大或过小都可能导致加工过程中的误差,如切割误差、研磨误差等,这些误差会进一步影响TTV的均匀性。
二、控制装夹力大小的方法
为了避免碳化硅衬底变形,进而影响TTV均匀性,需要采取一系列措施来控制装夹力的大小。
选择合适的装夹方式:根据碳化硅衬底的特性和加工要求,选择合适的装夹方式。例如,对于薄片状的碳化硅衬底,可以采用真空吸附或机械夹紧的方式;对于较厚的衬底,则可以考虑使用螺栓固定或夹持装置。
精确测量和调整装夹力:在装夹过程中,应使用高精度的测量仪器(如测力计、扭矩扳手等)来精确测量和调整装夹力的大小。确保装夹力在适宜的范围内,既能够固定衬底,又不会导致变形。
优化装夹点的布局:装夹点的布局对衬底的变形有着重要影响。应根据衬底的形状和尺寸,合理分布装夹点,以减少局部应力集中和变形。同时,应避免在衬底的脆弱区域设置装夹点,以减少晶格损伤的风险。
采用先进的装夹技术:随着科技的发展,越来越多的先进装夹技术被应用于碳化硅衬底的加工中。例如,采用浮动装夹技术可以减少衬底在加工过程中的应力集中;使用智能装夹系统可以根据加工过程中的实际情况自动调整装夹力的大小。
三、实时监测与反馈
在碳化硅衬底的加工过程中,应实时监测装夹力和衬底的变形情况。通过高精度的测量仪器(如激光测距仪、应变计等)对装夹力和衬底变形进行实时监测和反馈。一旦发现装夹力过大或衬底变形的情况,应立即调整加工参数或重新装夹,以确保加工质量和TTV的均匀性。
四、质量控制体系的建立
建立严格的质量控制体系是确保碳化硅衬底加工质量和TTV均匀性的重要保障。应制定详细的加工流程和操作规程,对装夹力的大小、装夹点的布局、加工参数等进行严格控制。同时,应对加工过程中的每个环节进行质量监控和记录,以便及时发现并解决问题。
结语
碳化硅衬底的TTV均匀性对其在高性能电子器件中的应用具有重要意义。通过控制装夹力的大小,可以避免衬底变形,进而影响TTV的均匀性。未来,随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步,对碳化硅衬底加工质量和TTV均匀性的要求将越来越高。因此,持续的技术创新和工艺优化将是提升碳化硅衬底加工水平和质量的关键。
高通量晶圆测厚系统
高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理,可解决晶圆/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,总厚度偏差)、BOW(弯曲度)、WARP(翘曲度),TIR(Total Indicated Reading 总指示读数),STIR(Site Total Indicated Reading 局部总指示读数),LTV(Local Thickness Variation 局部厚度偏差)等这类技术指标。
高通量晶圆测厚系统,全新采用的第三代可调谐扫频激光技术,相比传统上下双探头对射扫描方式;可一次性测量所有平面度及厚度参数。
1,灵活适用更复杂的材料,从轻掺到重掺P型硅(P++),碳化硅,蓝宝石,玻璃,铌酸锂等晶圆材料。
重掺型硅(强吸收晶圆的前后表面探测)
粗糙的晶圆表面,(点扫描的第三代扫频激光,相比靠光谱探测方案,不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响,因而对测量粗糙表面晶圆)
低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3);(通过对偏振效应的补偿,加强对低反射晶圆表面测量的信噪比)
绝缘体上硅(SOI)和MEMS,可同时测量多层结构,厚度可从μm级到数百μm级不等。
可用于测量各类薄膜厚度,厚度最薄可低至4μm,精度可达1nm。
2,可调谐扫频激光的“温漂”处理能力,体现在极端工作环境中抗干扰能力强,充分提高重复性测量能力。
3,采用第三代高速扫频可调谐激光器,一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式,解决了由于相干长度短,而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰,实现小型化设计,同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。
4,灵活的运动控制方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。
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