原创 合适的装夹方式，可避免碳化硅衬底位移或晃动，提高碳化硅衬底TTV均匀性

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其优异的物理和化学性能，在高性能电子器件制造领域展现出巨大潜力。然而，碳化硅衬底的加工精度要求极高，尤其是在总厚度变化（TTV）方面，任何微小的位移或晃动都可能对最终产品的性能产生重大影响。因此，选择合适的装夹方式，避免碳化硅衬底在加工过程中的位移或晃动，是提高其TTV均匀性的关键。

一、碳化硅衬底加工中的位移与晃动问题

在碳化硅衬底的加工过程中，如切割、研磨、抛光等步骤，衬底需要被稳定地固定在工作台上。如果装夹方式不当，衬底可能会因为受力不均、装夹力不足或装夹点布局不合理等原因，发生位移或晃动。这种位移或晃动不仅会影响加工精度，还会在衬底表面产生应力，导致TTV均匀性下降，进而影响后续工艺和最终产品的性能。

二、选择合适的装夹方式

为了避免碳化硅衬底在加工过程中的位移或晃动，需要选择合适的装夹方式。以下是几种常见的装夹方式及其优缺点：

真空吸附装夹：

优点：适用于薄片状碳化硅衬底，能够均匀分布装夹力，避免局部应力集中。

缺点：对真空泵的性能要求较高，且对于较厚的衬底，吸附力可能不足。

机械夹紧装夹：

优点：装夹力大，适用于较厚的碳化硅衬底。

缺点：需要精确控制装夹力的大小，以避免衬底变形；装夹点布局需要合理，以减少应力集中。

弹性装夹：

优点：能够补偿衬底在加工过程中的微小变形，提高加工精度。

缺点：设计复杂，成本较高。

磁吸附装夹：

优点：装夹速度快，适用于需要频繁更换衬底的加工场景。

缺点：对衬底的磁性有要求，不适用于所有类型的碳化硅衬底。

三、优化装夹方式以提高TTV均匀性

在选择合适的装夹方式的基础上，还需要进一步优化装夹参数，以提高碳化硅衬底的TTV均匀性。具体措施包括：

合理布局装夹点：根据碳化硅衬底的形状和尺寸，合理布局装夹点，以减少应力集中和衬底变形。

精确控制装夹力：使用高精度的测量仪器（如测力计）来精确控制装夹力的大小，确保装夹力既能够固定衬底，又不会导致变形。

采用浮动装夹技术：对于需要高精度加工的碳化硅衬底，可以采用浮动装夹技术，以补偿加工过程中的微小变形和误差。

实时监测与反馈：在加工过程中，使用高精度的测量仪器（如激光测距仪）对衬底的位移和晃动进行实时监测和反馈，一旦发现异常，立即调整装夹方式或加工参数。

四、结论

选择合适的装夹方式，对于避免碳化硅衬底在加工过程中的位移或晃动，提高其TTV均匀性至关重要。通过合理布局装夹点、精确控制装夹力、采用浮动装夹技术以及实时监测与反馈等措施，可以进一步优化装夹方式，提高碳化硅衬底的加工精度和产品质量。未来，随着碳化硅材料在半导体领域的广泛应用和技术的不断进步，对碳化硅衬底加工精度的要求将越来越高，因此，持续的技术创新和工艺优化将是提升碳化硅衬底加工水平和质量的关键

高通量晶圆测厚系统

高通量晶圆测厚系统以光学相干层析成像原理，可解决晶圆/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差）、BOW（弯曲度）、WARP（翘曲度），TIR（Total Indicated Reading 总指示读数），STIR（Site Total Indicated Reading 局部总指示读数），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等这类技术指标。

高通量晶圆测厚系统，全新采用的第三代可调谐扫频激光技术，相比传统上下双探头对射扫描方式；可一次性测量所有平面度及厚度参数。

1，灵活适用更复杂的材料，从轻掺到重掺P型硅(P++)，碳化硅，蓝宝石，玻璃，铌酸锂等晶圆材料。

重掺型硅（强吸收晶圆的前后表面探测）

粗糙的晶圆表面，（点扫描的第三代扫频激光，相比靠光谱探测方案，不易受到光谱中相邻单位的串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆）

低反射的碳化硅(SiC)和铌酸锂(LiNbO3)；（通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比）

绝缘体上硅（SOI)和MEMS，可同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。

可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4μm，精度可达1nm。

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3，采用第三代高速扫频可调谐激光器，一改过去传统SLD宽频低相干光源的干涉模式，解决了由于相干长度短，而重度依赖“主动式减震平台”的情况。卓越的抗干扰，实现小型化设计，同时也可兼容匹配EFEM系统实现产线自动化集成测量。

4，灵活的运动控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圆片测量。