原创 应广双核心P234CS20替代义隆EM78P418

2011-5-25 18:50 1204 13 13 分类: MCU/ 嵌入式

应广双核心P234替代义隆EM78P418EM78P346HOLTEKHT46R066HT46R0662HT46R067IC内部资源整合丰富,性价比优势明显。  P234 系〓 ADCLCD 控制 采用FPPATM技术双核心8 位单片机 1. 单片机特点 1.1 高性能RISC CPU 架构   内置2 FPPATM处理单元 4Kx16 bits OTP 程序存储器 200 Bytes 数据存储器 提供100 条指令 除间接寻址模式外的所有指令都是单周期(1T)指令 跳转指令是单周期指令 弹性化的堆栈深度,可程序设定 提供数据与指令的直接、间接寻址模式 提供位(Bit)处理指令 所有的数据存储器都可当数据指针(index pointer 程序代码保护功能 独立的IO 地址以及存储地址,方便程序开发 1.2 系统功能〓 时钟源:内部高频RC 振荡器(IHRC)、内部32kHz 振荡器(ILRC)、外部晶振 内置高频RC 振荡器 内置上电复位和4 级低电压检测器(LVD)以确保可工作的电压 内置一个硬件16 位计数器 内置一个硬件8 位计数器并可提供PWM 模式输出 内置一个11 通道 12 位分辨率 A/D 转换器,其中1 通道是Band-gap 定电压输入 内置Band-gap 定电压产生器,提供1.20±0.15V 参考电压 内置一个硬件比较器,提供外部输入信号、内部参考电压比较 内置VDD/2 偏置电压产生器供液晶显示应用 最多提供4x16 LCD 显示 提供快速开机与普通开机两种模式 提供快速唤醒与普通唤醒两种模式 22 IO 引脚,每一IO 引脚具有12mA 电流驱动能力〓 抗干扰能力强(high EFT  工作频率 (晶振模式和内置高频RC 振荡模式) DC ~ 8MHz@VDD4V   DC ~ 4MHz@VDD3V DC ~ 2MHz@VDD2.5V  DC ~ 1MHz@VDD2.2V 工作电压:2.2V ~ 5.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C 低功耗特性: Ioperating ~ 1.2mA@1MIPS, VDD=5.0V;  Ioperating ~ 40uA@ VDD=3.3V, ILRC ~ 16KHz Istandby ~ 1uA@VDD=5.0V;  Istandby ~ 0.5uA@VDD=3.3V 封装类型:  P234CS18: SOP18 (300mil), P234CD18: DIP18 (300mil) P234CS20: SOP20 (300mil), P234CD20: DIP20 (300mil), P234CSS20: SSOP20 (150mil) P234CS24: SOP24 (300mil), P234CK24: SK-DIP24 (300mil)

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