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用户315966
2010-12-26 15:34
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沟道技术
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新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 沟道技术开发。所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动 ...
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用户315966
2010-12-26 15:34
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国际整流器公司
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 日前宣布扩大了旗下包括逻辑电平器件系列在内的 40V 至 100V 汽车专用 MOSFET 组合。新系列 MOSFET 适合传 ...
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用户315966
2010-12-26 15:33
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驱动电阻
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试条件中驱动电阻为25欧姆。 3、 因为Renesas高压MOS栅源极耐压比较高，可以达到30V。所以在负载比较重或漏极电流比较大的 ...
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用户315966
2010-12-26 15:33
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跨导参数及曲线
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3、跨导参数及曲线。跨导是MOS一个很重要的参数，反映了栅极驱动电压对漏极电流的控制能力。由下图的转移特性曲线可知：当MOS栅极驱动电压在10V左右的时 ...
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用户315966
2010-12-26 15:33
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产品规格
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产品规格 器件编号 封装 栅极驱动 V (BR)DSS (V) 10V GS 时的最大导通电阻( mΩ ) ...
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