原创 沟道技术

　新系列 MOSFET 采用 AU Gen 10.2 沟道技术开发。所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过1, 000 次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而，经过延长测试后，IR 的新款AU 材料在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化只有 12%，体现了这款材料的高强度和耐用性。

　　新器件符合 AEC-Q101 标准，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。