第三章 电磁屏蔽(yang)第三章电磁屏蔽与搭接 屏蔽材料的选择 实际屏蔽体的设计 杨继深 2005年12月 电话 010-68386283 PDF 文件使用 "pdfFactory Pro" 试用版本创建 www.fineprint.cn 电磁屏蔽 屏蔽前的场强E1 屏蔽后的场强E2 对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽 , 电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量 : 杨继深 电话 010-68386283 SE = 20 lg( E / E ) 1 2 2005年12月 dB PDF 文件使用 "pdfFactory Pro" 试用版本创建 www.fineprint.cn 实心材料屏蔽效能的计算 入射波 SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B ＝ R＋ A＋B 场强 B 吸收损耗A R1 R2 杨继深 2005年12月 电话 010-68386283 PDF 文件使用 "pdfFactory Pro" 试用版本创建 www.fineprint.cn 距离 反射损耗的产生 感应电流 反射场 入射场 杨继深 2005年12月 电话 010-68386283 PDF 文件使用 "pdfFactory Pro" 试用版本创建 www.fineprint.cn 反射损耗 远场：377 R ＝ 20lg ZW 4 Zs 近场：取决于源的阻抗 ZS = 3.68 ×10-7√ f r/σr 同一种材料的阻 抗随频率变 反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越 大。 杨继深 2005年12月 电话 010-68386283 PDF 文件使用 "pdfFactory Pro" 试用版本创建 www.fineprint.cn 不同电磁波的反射损耗 远场: 电场: 磁场: 377 R ＝ 20lg 4 Zs R ＝ 20lg 4500 D f Zs R ＝ 20……