dmos说明 DOMS的全称是Double-diffused Metal Oxide Semiconductor. DMOS工艺：DMOS(双扩散MOS)晶体管是针对大电流、高电压而优化设计的。为了提高击穿 电压而将这类元件设计成长沟道结构。将几个单元并联来实现大电流(低的导通电阻)和 高能量密度。DMOS工艺比逻辑工艺具有更厚的栅极氧化层，这样可以制造出更坚固的器 件。如果这些基本的工艺以逻辑方式组合起来，可以得到下列不同的组合工艺，根据它 们的专有特性可以适用于特定的应用领域。 1 引言 汽车电子技术发展迅猛，多种新型电子控制装置几乎全面进入整车各系统，极大地提高 了汽车性能，有专家预测：今后十年内，汽车电子及其相关产品在整车的成本 比例将从目前的平均20％上升到32％，其发展速度从10％提高到20％，耗电量不断增加 ，导致车内电力负载年增加100W以上，具有电能使用效率高、传 输快捷、转换容易、控制灵活等一系列特性的车内电器日趋增多，采用电磁或电动执行 器替代液压和气压传动执行器已成为一种趋势，一些带电的机械装置正加速转 变为带机械的电子装置，各种线控系统的研发目标是取代液压与机械控制系统，极大地 增添了汽车电气系统的负荷。为解决这一发展瓶颈，唯一可行的办法是车内供 电直流电压由14V转向42V电气系统，或14/42V双电压电气系统（按电器设备和电子装置 消耗功率的大小分为两组，耗电功率较大的一组使用42V供电 系统，而耗电较小的一组采用14V供电系统）提高交流发电机电压以增大其输出功率，供 电容量将从目前的1.5kW左右提高到今后的5kW以上，电气化控制 以及新的供电系统中，需要大量采用功率MOSFET（金属－氧化物－半导体场效应晶体管 ），进行功率变换、控制与驱动各种大功率的负载，同时， 先进的功率MOS技术也促进新型汽车电控系统的发展与提高，据报道，一辆轿车中所使用……