微波放大器电子科技大学电子工 程学院微波工程系 微波放大器 z §2 电子科技大学电子工 程学院微波工程系 微波放大器 §1 前言 设计过程基于晶体管的S参数。 晶体管可以是双极晶体管、FET、HEMT或者是HBT。 低噪声放大器（LNA): 低噪声系数、高增益 功率放大器(PA): 高输出功率、高效率 基本理论 a1 a2 b2 输出匹 配网络 Z0 源 输入匹 配网络 bs b1 晶 体 管 S11 S21 S12 S22 Γout Zout Z0 Γs Zs Γin Zin ΓL ZL 1 2 电子科技大学电子工 程学院微波工程系 微波放大器 z 电子科技大学电子工 程学院微波工程系 微波放大器 z 2．1 微波晶体管放大器功率增益 1 .实际功率增益 GP = PL = Pin 1 S 22 Γ L 2 (1 Γin 2 ) S21 (1 Γ L )(1 Γ s ) 2 2 2 对于单向化晶体管，有 S12＝0 GT = GTu = 1 Γs 2 2 S 21 (1 Γ L ) 2 2 1 S 1 1Γ s S 21 2 1 ΓL 2 2 1 S 22 Γ L 2. 转换功率增益 GT = Z0 2 GTu (dB ) = Gs (dB) + G0 (dB) + GL (dB ) (1 S11Γ s )(1 S22 Γ L ) S12 S21Γ S Γ L 源 Gs G0 GL Z0 3. 资用功率增益 Gavs Gavs = S 21 (1 Γ s ) 2 2 Γs S11 S 22 ΓL 1 S 22 + Γ s ( S11 Δ ) 2 Re(Γ s C1 ) 2 2 2 2 3 4 电子科技大学电子工 程学院微波工程系 微波放大器 z 电子科技……