11GHz低噪声放大器的研制00425 　　 11 GHz 低噪声放大器的研制 孟　云① 　　 【 摘 要】 本 文 阐 述 了 微 波 低 噪 声 放 大 器 的 设 计 原 理, 并 应 用 微 波 ～ 11. 7 GH z 频段上完成 G ≥21 dB、 EESO F 设计软件在 10. 7 N F ≤3. 0 dB 的低噪声放大器的设计与制作。 　　关键词: 低噪声放大器　设计　EESO F 　　 有 效 频 偏 ( kH z ) ; F 0 为 话 路 的 中 心 频 率 ( kH z) ; B 为话路带宽 ( 3. 1 kH z) ; K 为波尔 兹曼常数 ( 1. 38 ×10- 23W H z・K ) ; T 0 为标 准温度 ( 290 K ) ; P r 为收信机的接收信号功 率 (W ) ; N F 为收信机的噪声系数。 　　当 S 0、 F 0、 B、 K、 T 0 一定时, 要改善话路 信噪比, 就必须提高接收的信号功率 P r 或降 低接收机的噪声系数 N F 。 众所周知, 想提高 P r , 比较困难, 因此, 改善信噪比的关键就在 于降低接收机的噪声系数 N F 。 对于一个接收系统而言, 它的总噪声系 数为 N F2 - 1 N F3 - 1 N F = N F1 + + + … G1 G 1G 2 一、前　言 　　随着通信事业的飞速发展, 频率资源在 许多通信发达地区越来越紧张, 为了提高通 信容量, 避免信道拥挤和相互干扰, 通信频率 必须向更高频段发展。 同时, 半导体材料和工 艺 的 进 一 步 发 展, 为 我 们 提 供 了 一 种 比 GaA s 微波场效应晶体管具有更高工作频 率、 更低噪声系数、 性能更优越的新型器件- H EM IT 微波场效应晶体管。在此基础上, 我们研制出 11 GH z 微波低噪声放大器, 它 具有宽频带、 高增益……