Lecture6CMOS射频集成电路设计 2007年10月12日 唐长文 助理研究员 zwtang@fudan.edu.cn http://rfic.fudan.edu.cn/Courses.htm 复旦大学 专用集成电路与系统国家重点实验室 版权 2005-2007, 版权所有，不得侵犯 版权 2005-2007, 版权所有，不得侵犯 低噪声放大器的设计优化技术 MOS管噪声模型 z 经典二端口网络的噪声分析 z 窄带低噪声放大器的设计优化 z 经典二端口网络噪声匹配 噪声和阻抗同时匹配 有效跨导约束和功率约束的噪声匹配 功率约束的噪声和阻抗同时匹配(自学) z 宽带低噪声放大器的设计优化 噪声抵消技术 复旦大学 专用集成电路与系统国家重点实验室 -2- 唐长文 版权 2005-2007, 版权所有，不得侵犯 MOS管噪声模型(I) z 电阻热噪声 电压噪声 电流噪声 2 vn Δf = 4kTR 2 in 2 vn 2 v 4kT 2 n Δf i n Δf = = = 4kTG 2 R R 多晶硅栅极电阻Rg 双端连接的多插指结构减小串联电阻 单端连接 双端连接 1 RsqW Rg = 2 3n L 复旦大学 1 RsqW Rg = 12n 2 L 唐长文 -3- 专用集成电路与系统国家重点实验室 版权 2005-2007, 版权所有，不得侵犯 MOS管噪声模型(II) z MOS管沟道噪声 热噪声 2 电流噪声 i nd Δf = 4kT γ g do 2 电压噪声 v nd 2 v nd 2 i nd 2 i nd Δf gm γ 1 Δf = = 4kT α= 2 g do α gm gm 2 K gm K 2 Δf = ≈ ωT A 2 f WLCox f 2 闪烁(1/f)噪声 i nd 2 背栅(……