NAND和NORflash慎重选择 NAND和NORflash技术设计师在使用闪存时需要慎重选择 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR  flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝 公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可 以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和 NAND闪存。 　　相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NA ND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码 ，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。  　　NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flas h闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时 具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也 很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。 性能比较 　　flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何 flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入 操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦 除前先要将目标块内所有的位都写为0。 　　由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5 s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。……