无论是基础功率半导体器件，如：整流二极管（RecTIfier diodes 简称RD，含快恢复整流二极管FRD）、晶闸管（SCR，含快速、高频晶闸管）、双向晶闸管（Triac）、逆导晶闸管（RCT）等，还是新型功率半导体器件，如：门极关断晶闸管（GTO）、门极换流晶闸管（GCT）、集成门极换流晶闸管（IGCT）等，甚至是绝缘栅双极晶体管（IGBT），都属于双极注入器件，所以它们的通态特性最后都可以归结到PiN功率二极管的通态特性上。