在HCS08 微控制器上EEPROM 在 HCS08 微控制器上 使用 FLASH 存储器模拟 EEPROM 飞思卡尔半导体北京分公司 师英 (jerry.shi@freescale.com) 在微控制器应用的很多场合，EEPROM 被用来保存要求掉电仍然保持的数据，包括系统 配置数据、过程数据、测量或运算结果等。虽然 HCS08 系列微控制器并不包含片上 EEPROM，然而它所拥有的高性能 FLASH 存储器可以方便地实现数据存储功能。在本文 中，提供了 4 个封装好的函数来实现 EEPROM 的模拟功能，屏蔽了复杂的底层操作，可以 很方便地集成到应用程序中去。 HCS08 微控制器片上 FLASH 的性能 HCS08 的程序存储器为 0.25um 工艺 FLASH，以 512bytes 为一个页组织。表 1 给出了 HCS08 片上 FLASH 存储器的大部分特性。 特性 表示符号 最小值 典型值 最大值 单位 内部 FCLK 频率 fFCLK 150 200 kHz 内部 FCLK 周期 tFcyc 5 6.67 us 字节编程时间（随机地址） tprog 9 tFcyc 字节编程时间（突发模式） ……