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针对 ISL6752、ISL6753 ZVS 全桥控制器的设计
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资料介绍
本文提供了在使用ISL6752和 ISL6753 等器件设计ZVS 全桥结构时的一些有用信息和技巧, 这些技巧包括设置谐振时间和同步整流器时序。更多有用信息,请参阅应用笔记 AN1002 和 AN1246。 ` 针对 ISL6752、ISL6753 ZVS 全桥控制器的设计 应用笔记 2006 年 8 月 15 日 AN1262.0 前言 ZVS(零电压开关)全桥拓扑已经出现多年,并且已成为业界主流。这种结构的主要缺点就 是需要一个附加的特定波形发生器来生成正确的栅极驱动信号。使用 Intersil 公司的 ISL6752 和 ISL6753 等器件,就可以克服上述缺点。使用这些器件,不仅可以使设计人员简 化 ZVS 全桥控制器的设计,还可以带来额外的好处。 适用范围 本文提供了在使用 ISL6752 和 ISL6753 等器件设计 ZVS 全桥结构时的一些有用信息和技巧, 这些技巧包括设置谐振时间和同步整流器时序。更多有用信息,请参阅应用笔记 AN1002 和 AN1246。 谐振时间和能量 对 ZVS 全桥结构进行的关键操作之一就是基于谐振时间要求来设置打开下 MOSFET 管的延时。 这个操作可以通过调节该 IC 上的 RESDEL 管脚上的电压来实现。在初始时刻, 在变换器上电 之前,将 RESDEL 管脚上的电压设置为 1.8V,这样就在上 MOSFET 管关断与下 MOSFET 管打开 之间设置了较大的延时。推荐在这个过程中,禁用同步整流器。禁用的方法,参见第三页的 “同步整流器”一节。 上述调整步骤完成后,缓慢增加 ZVS 全桥的供电电压,保持负载处于最小的电流状态。同时 监测上 MOSFET 管的栅-源压降和对角位置的下 MOSFET 的栅-源、漏-源压降。图 1 给出 了 ZVS 全桥上的电压波形。 Upper MOSFET:上 MOSFET Lower MOSFET:下 MOSFET(这里的上下是对角的……
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