tag 标签: 失效分析

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  • 热度 9
    2021-7-13 19:33
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    芯片失效分析五步疗法
    第一步decap:先用激光开盖机sesame laser s1000镭射逐渐去层塑料外壳(避免将电路打掉),再用酸腐蚀塑料,酒精泡水清洗后露出电路板,加热台加热蒸发掉水份,最后用10倍目镜加10倍物镜检查电路是否全部露出。 第二步emmi:x射线检查仪phemos1000暗室中用微光显微镜10倍目镜,5倍20倍50倍100倍物镜扫描150秒对比好坏片差异,找出不同亮点(电子光),定位出问题电路模块。 第三步probe:fei fib800仪器用离子束耗材ee碘对猜测问题信号线空旷位置去钝化层后再用pt耗材周围长十字pad用于probe。接下来探针台psm1000 probe十字pad后用示波器MDO3024查看猜测问题信号线的波形,确定异常信号。 第四步FIB:根据已知数据,分析出问题的根本原因,找出对应的fib方案,用fei fib800仪器用离子束ee耗材打洞露出底部金属铝线后用pt耗材连线在钝化层上方。 第五步验证 : 验证FIB结果是否解决问题,probe问题信号线是否正常。
  • 热度 6
    2020-9-14 15:31
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    非破坏分析X光检测
    X射线(Xray)检测 X射线 Xray 检测仪是在不损坏被检物品的前提下使用低能量X 光,快速检测出被检物。 利用高电压撞击靶材产生 X射线穿透来检测电子元器件、半导体封装产品内部结构构造品质、以及SMT各类型焊点焊接质量等 X射线 X-ray 测试项目: 1、集成电路的封装工艺检测:层剥离、开裂、空洞和打线工艺; 2、印刷电路板制造工艺检测:焊线偏移,桥接,开路; 3、表面贴装工艺焊接性检测:焊点空洞的检测和测量; 4、连接线路检查:开路,短路,异常或不良连接的缺陷; 5、锡球数组封装及覆芯片封装中锡球的完整性检验; 6、高密度的塑料材质破裂或金属材质检验; 7、芯片尺寸量测,打线线弧量测,组件吃锡面积比例量测。 芯片失效分析实验室介绍,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环
  • 热度 8
    2019-10-8 20:03
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    国产化替代选择国产品牌的时候,需要对同样的元器件各个层次的国产品牌都进行梳理,给各国产品牌都有竞争的机会,特别是如果是技术含量较高的元器件,必须把排名前列的国产品牌都列举上一起竞争。 如果没有上面说的这个大策略,只是某些人自己找个关系户国产品牌,打着国产化的旗号进行国产化替代,实际上是不顾企业的风险,只想着为自己捞好处。 所以,在对某种元器件进行国产化替代之前,国产化项目团队必须给出这种元器件的进口、国产品牌全景图,进口品牌与国产品牌的差距,国产品牌在整个行业的地位,各国产品牌的行业地位等情况。要对国产品牌的地位进行分梯队。 然后,评估国产品牌替代风险大小。如果认为国产品牌替代可行,还要细化能接受的国产品牌的哪个梯队的。比如说评估认为只接受第一梯队的国产品牌,那么第二梯队及其以后梯队的国产品牌就不能参与替代。 在决定了某个梯队的国产品牌可以替代之后,对于同样梯队中各品牌的选择,我觉得倒不可能做到完全客观公平,有关系的品牌可以优先考虑,只要这个品牌是符合公司筛选原则的。同一种元器件有多方同时提出自己的关系户最好,这样能起到互相竞争、互相监督制约的作用。允许引进关系户原因有:如果有关系户但选择了主推非关系户的品牌,那么在后续的相关环节中,会遇到各种刁难阻碍,导致引进新品牌的进度困难重重,效率底下;相反如果是关系户的品牌,相关人员可能会在资源投入等地方更积极,提高效率。其实即使你们公司要求不能引进关系户,实际操作过程中也是不现实的,找关系户几乎是肯定的,只是相关人员会做得更隐蔽,我认为与其背地里搞还不如公开搞,公开搞的话,以后关系户供应商出了问题,反而可以让相关人员承担部分责任(至少职业名誉有可能受损),否则鬼鬼祟祟的弄自己的关系户人你都无法公开谴责。 假设国产品牌选择的是关系户的品牌,这个品牌可能不是最优的而是次优的。由于关系户有可能从中获得了好处(或直接的经济利益,或人情等),大家肯定都会担心关系户的品牌性价比很差。如果没有控制措施,这个是很正常的结果。所以,即使内定了选关系户的某个品牌,也要拿其他的品牌一起竞争对标,比如说如果关系户的牌子比另外的牌子差一些,那么价格就必须有优势,服务上的要求也更好;即使关系户的是最好的国产品牌,也要找个对标的竞争对手在价格、服务等地方来比较,不能差得太离谱,等等。这些条件是合情合理的条件,如果关系户品牌满足不了这些条件,那么也不能进来。事实上一个新品牌进入一家新公司时,最怕的就是不确定性,不知道哪些环节哪些会有障碍,哪些环节要打点,他们的报价等还要留有余量来预防后续的打点成本,但是一旦比较形势比较明朗了,反而可以报比较实在的价格了。所以即使是关系户,也可以通过竞争把性价比谈到合理的水平。 对于最核心的元器件,比如说技术特别复杂、成本占比特别最高的元器件,建议企业老板(最大股东)要参与评估,因为这个是涉及公司生死存亡的或者严重影响公司利润的元器件,必须是战略性重视。 必须注意的是,对于有一定技术含量的元器件,国产化替代必须是从老料号开始做替代。同时,国产元器件的采购比例必须由小到大逐渐加大,不能一开始就上很大比例,而且到最后也不能一刀切完全不买进口品牌,否则一旦国产品牌爆发质量问题时,就没有补救措施了! 对于有一定技术含量的元器件,在研发选用新料号的时候,也不能只选国产品牌的元器件,新料号下至少要有一个进口品牌,同时也要保证进口品牌一定的采购比例。 最后谈谈国产化替代品牌出质量问题时的处理策略。 元器件出质量问题是很正常的,即使是最好的品牌也有可能出质量问题,更别提国产品牌了。所以出国产化替代出现质量问题是正常现象,一定要有心理准备。 对于某种元器件出现批量的质量问题时,有以下两种策略: 1 、如果你们公司的失效分析水平不是很高,可以采用一旦出现批量性质量问题,就淘汰这个品牌的策略。当然可以根据公司承受质量问题的能力,选择出现两次批量性质量问题才淘汰的策略。如果你们公司的失效分析水平不够,建议出两次批量质量问题是上限,事不过三,否则有可能会被这个牌子害死的。 2 、如果公司有很强的失效分析能力。那么出现批量性质量问题时,只要分析清楚失效原因,然后评估这个品牌是否有改善能力,没有改善能力的淘汰,有改善能力的辅导他们改善,使国产品牌质量螺旋式上升,这才是国产化的最大意义。
  • 热度 13
    2019-8-6 22:18
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    你觉得推行国产化替代要搞多长时间?不要说全部元器件国产化替代,就假设把现有进口物料,通过国产化替代掉 50% 或以上的程度。一年够吗?觉得一年就能搞定的,估计是像战国时的赵括一样的人,只会纸上谈兵!国产化替代一定是个长期战役,少则三五年,长则十年以上。其中肯定会出很多问题,需要通过市场验证、市场反馈不断改进,没有个三五年不可能把质量稳定下来。这还只是比较乐观的情况,是假设你们公司还没倒闭,假设你们公司技术能力够强有分析改进问题的能力。 国产化替代,必须是作为企业战略性的大项目来搞,必须有企业一把手的支持和监督。如果只是由采购或者相关的部门级的层面来发起,企业一把手不闻不问,将会是非常危险的,搞不好企业就因此玩完了! 国产化项目的负责人,建议由副总级的人作为项目负责人,直接向企业一把手汇报工作和承担相关责任。这个副总级的人必须是能够管采购、研发、质量、销售等部门的领导。如果是研发地位特别高的企业,可以考虑由研发一把手来做这个负责人,这种方式已经算下策了。千万不能把这么重要的项目放给更低层次的人负责,而企业高层不负责不监督。否则企业是怎么死的你都不知道! 由企业高层做项目负责人 ( 对项目进行负责和监督 ) ,具体的活还得由下属来干,那么负责人的核心助手——承担项目实际跟进和技术核心决策的人,至少是硬件一把手,如果有总工而且总工地位很高的企业,也可以由总工来做这个核心助手。 要搞元器件国产化,还必须做好元器件相关专业人才的储备工作。以下这三大领域专业人才的准备:包括硬件设计、元器件认证、失效分析几大领域,缺一不可。 可能有人会想,只是器件替代而已,关硬件设计人员什么事?也许大家都知道,国内不少企业的研发部门,原创的设计并不多。所谓的逆向工程,说难听点就是抄。在元器件都是大品牌的情况下,用这种线路设计可能没问题,换了更差的品牌,由于性能一定有差别,可能再用于这个线路设计就有问题了!所以国产化替代的时候,可能会涉及到电路设计的调整或者选用元器件参数的调整。即使有一些电路是原创的设计,也是经常会碰见用大品牌没问题用小品牌有问题的情况,这个还是与设计能力有关。如果企业没有比较专业的设计人才,那么国产化替代之后,以前不严谨的设计可能会导致很多质量问题,严重的是产品的功能、性能都有可能满足不了要求。 元器件认证人才对国产化替代的作用也不言而喻。设计人才解决的是元器件的应用问题,元器件认证人才解决的是元器件的固有可靠性问题。优秀的元器件认证人才,能够提前发现元器件的质量风险,当然这也是有局限的,越是复杂的器件(比如 IC ),越难发现元器件的固有可靠性问题。不少大公司有专门的元器件工程师,但是也有的公司还没有专门的这个岗位,如果想做国产化替代,建议增设这个岗位,而且要根据公司元器件种类的复杂性,必要时配多几个,个人建议每 5 个左右的硬件工程师要配一个元器件工程师。考虑到元器件工程师不是热门职位,真正有水平的元器件工程师并不容易招到,可以考虑由硬件工程师转岗做元器件工程师,而且要接受元器件管理、认证、失效分析相关知识的培训。 前面说的设计工程师解决元器件应用问题,元器件工程师解决元器件固有质量问题,这些在前期只是能发现部分问题,不可避免的有问题会流到市场上的,这时候就需要有专业的失效分析人员了。失效分析分系统级的和元器件级的。搞国产化替代,元器件级的失效分析人才最合适。国产化替代在批量应用后,肯定会碰见各种质量问题。必须把质量问题分析清楚才能不断改善质量。注意,根据经验,一般质量部门的质量管理人员分析质量问题做不深入,很难真正分析到质量问题的原因,所以一定要配备专门的元器件失效分析人员。当然,行业现状是专业的元器件失效分析人才非常紧缺。实在招不到这种人才,建议从水平较高的硬件工程师人员中培养,注意我这里要求的是水平高的硬件工程师,水平不够高还做不好这个职位,这个人员也要接受系统的失效分析培训。 IC 类的器件如果是器件本身质量问题,普通整机厂的失效分析人员一般是无法分析细化到其内部电路的,这时候需要有方法和会借力来分析定位问题。公司不大还想把分析设备都配齐那是不可能的,什么都想自己配而不会借力纯粹是浪费、得不偿失。 元器件认证和元器件失效分析,最核心技术是可以相通的,真正优秀的元器件认证工程师和真正优秀的元器件失效分析工程师可以合二为一。 如果以上的人才都没有真正的专业人才,甚至缺少其中一种人才,搞国产化替代都是风险极高的事情。所谓磨刀不误砍柴工,在准备搞国产化之前,建议必须把这些人才队伍建设好。设计方面的专业人才,得之前就有这方面的人才,否则不可能整个研发体系重新洗牌吧。元器件认证和失效分析方面的人才没有的话可以考虑从外面引进,不过找到真正厉害的人的可能性比较小,所以建议还是要有计划地培养发展这方面的人才。不要认为外来的和尚一定会念经,事实上即使是大公司招来的人,也有可能是滥竽充数的水平。
  • 热度 7
    2015-1-14 16:14
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    大家好!收到客户提供的红外灯驱动板,板上的电解电容爆炸,部分板上红外LED灯驱动IC也烧坏,客户要求失效分析,想知道原因。   当电解电容过压、纹波电流过大、反接都会导致发热,当温度上升速度非常快的时候,就会爆炸;   请大家提供宝贵意见,分析分析,先谢过了!     上两张图片!         我来分析一下: 电解电容发生爆炸,原因不外乎有以下几个: 第一,供电电源接反,330uF/25V规格的电解电容电压反接,非常有可能爆炸,#1~#6的输入电解电容爆炸,#1、#2、#3、#5、#6的LED DRIVER IC也发生爆炸;电源反接的情况下,电容、驱动IC同时爆炸失效; 第二,工作电压过高,这个原因应该可以排除,实际应用电压超过电容规格25V的可能性不大; 第三,工作环境温度太高,客户使用的是普通电解电容,其ESR较大,可能达到几百毫欧,当流经电容的纹波电流较大时,其功率损耗增大,造成电容发热严重,而环境温度高,不利于其散热,这样恶性循环,有可能造成其爆炸,当电容失效爆炸,造成驱动IC损坏; 第四,雷击造成瞬时过电压,造成电容及驱动IC同时爆炸失效。 还有其它的原因,请各位朋友帮忙支持,感谢!
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    AgilentB1500A半导体器件分析仪目前,利用扫描探针显微镜(SPM)技术的纳米探测已能使用压电致动器达到纳米级(9-10nm)的探测水平。这篇应用指南将为您介绍一种新的失效分析技术,这项技术使用一种流行纳米探针,来自日立高科技公司制作的N-6000精细结构器件表征系统,以及AgilentB1500A半导体器件分析仪。N-6000可以直接接触集成电路内的器件,从而有助于弥补物理和电气失效分析技术之间的差异。用带纳米探针的AgilentB1500A进行失效分析应用指南B1500-7AgilentB1500A半导体器件分析仪引言目前,能探测极窄线宽的纳米探针技术取得了许多进展,从而能表征集成电路内单个器件的电气特性。这篇应用指南介绍如何用AgilentB1500A半导体器件分析仪进行这类测量,我们通过SRAM失效分析说明这项技术。常规存储器失效分析是用逻辑测试仪探测有失效的比特位,然后用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)进行实际观察和判断造成失效的成因。但SEM和TEM都属破坏性的测试,您只能在若干可能失效位置中观看其中一个点。这就大大限制了用户定位失效具体成因的能力。此外,对于非常小的残留物或异常掺杂密度造成的电性失效,也难以采用传统的物理观察技术来发现,因此需要增加一些其它类型的电气测试。常规器件电气测试方案需要把器上芯片间的切割道中。显然,这种方件放在带探针测试点的TEG(测试元件法不能在实际芯片内的失效位置上进组)中,而这一TEG则通常放在晶圆片行电气表征。目前,利用扫描探针显微镜(SPM)技术的纳米探测已能使用压电致动器达到纳米级(9-1……
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