tag 标签: 失效分析

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  • 热度 8
    2019-10-8 20:03
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    国产化替代选择国产品牌的时候,需要对同样的元器件各个层次的国产品牌都进行梳理,给各国产品牌都有竞争的机会,特别是如果是技术含量较高的元器件,必须把排名前列的国产品牌都列举上一起竞争。 如果没有上面说的这个大策略,只是某些人自己找个关系户国产品牌,打着国产化的旗号进行国产化替代,实际上是不顾企业的风险,只想着为自己捞好处。 所以,在对某种元器件进行国产化替代之前,国产化项目团队必须给出这种元器件的进口、国产品牌全景图,进口品牌与国产品牌的差距,国产品牌在整个行业的地位,各国产品牌的行业地位等情况。要对国产品牌的地位进行分梯队。 然后,评估国产品牌替代风险大小。如果认为国产品牌替代可行,还要细化能接受的国产品牌的哪个梯队的。比如说评估认为只接受第一梯队的国产品牌,那么第二梯队及其以后梯队的国产品牌就不能参与替代。 在决定了某个梯队的国产品牌可以替代之后,对于同样梯队中各品牌的选择,我觉得倒不可能做到完全客观公平,有关系的品牌可以优先考虑,只要这个品牌是符合公司筛选原则的。同一种元器件有多方同时提出自己的关系户最好,这样能起到互相竞争、互相监督制约的作用。允许引进关系户原因有:如果有关系户但选择了主推非关系户的品牌,那么在后续的相关环节中,会遇到各种刁难阻碍,导致引进新品牌的进度困难重重,效率底下;相反如果是关系户的品牌,相关人员可能会在资源投入等地方更积极,提高效率。其实即使你们公司要求不能引进关系户,实际操作过程中也是不现实的,找关系户几乎是肯定的,只是相关人员会做得更隐蔽,我认为与其背地里搞还不如公开搞,公开搞的话,以后关系户供应商出了问题,反而可以让相关人员承担部分责任(至少职业名誉有可能受损),否则鬼鬼祟祟的弄自己的关系户人你都无法公开谴责。 假设国产品牌选择的是关系户的品牌,这个品牌可能不是最优的而是次优的。由于关系户有可能从中获得了好处(或直接的经济利益,或人情等),大家肯定都会担心关系户的品牌性价比很差。如果没有控制措施,这个是很正常的结果。所以,即使内定了选关系户的某个品牌,也要拿其他的品牌一起竞争对标,比如说如果关系户的牌子比另外的牌子差一些,那么价格就必须有优势,服务上的要求也更好;即使关系户的是最好的国产品牌,也要找个对标的竞争对手在价格、服务等地方来比较,不能差得太离谱,等等。这些条件是合情合理的条件,如果关系户品牌满足不了这些条件,那么也不能进来。事实上一个新品牌进入一家新公司时,最怕的就是不确定性,不知道哪些环节哪些会有障碍,哪些环节要打点,他们的报价等还要留有余量来预防后续的打点成本,但是一旦比较形势比较明朗了,反而可以报比较实在的价格了。所以即使是关系户,也可以通过竞争把性价比谈到合理的水平。 对于最核心的元器件,比如说技术特别复杂、成本占比特别最高的元器件,建议企业老板(最大股东)要参与评估,因为这个是涉及公司生死存亡的或者严重影响公司利润的元器件,必须是战略性重视。 必须注意的是,对于有一定技术含量的元器件,国产化替代必须是从老料号开始做替代。同时,国产元器件的采购比例必须由小到大逐渐加大,不能一开始就上很大比例,而且到最后也不能一刀切完全不买进口品牌,否则一旦国产品牌爆发质量问题时,就没有补救措施了! 对于有一定技术含量的元器件,在研发选用新料号的时候,也不能只选国产品牌的元器件,新料号下至少要有一个进口品牌,同时也要保证进口品牌一定的采购比例。 最后谈谈国产化替代品牌出质量问题时的处理策略。 元器件出质量问题是很正常的,即使是最好的品牌也有可能出质量问题,更别提国产品牌了。所以出国产化替代出现质量问题是正常现象,一定要有心理准备。 对于某种元器件出现批量的质量问题时,有以下两种策略: 1 、如果你们公司的失效分析水平不是很高,可以采用一旦出现批量性质量问题,就淘汰这个品牌的策略。当然可以根据公司承受质量问题的能力,选择出现两次批量性质量问题才淘汰的策略。如果你们公司的失效分析水平不够,建议出两次批量质量问题是上限,事不过三,否则有可能会被这个牌子害死的。 2 、如果公司有很强的失效分析能力。那么出现批量性质量问题时,只要分析清楚失效原因,然后评估这个品牌是否有改善能力,没有改善能力的淘汰,有改善能力的辅导他们改善,使国产品牌质量螺旋式上升,这才是国产化的最大意义。
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    2019-8-6 22:18
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    你觉得推行国产化替代要搞多长时间?不要说全部元器件国产化替代,就假设把现有进口物料,通过国产化替代掉 50% 或以上的程度。一年够吗?觉得一年就能搞定的,估计是像战国时的赵括一样的人,只会纸上谈兵!国产化替代一定是个长期战役,少则三五年,长则十年以上。其中肯定会出很多问题,需要通过市场验证、市场反馈不断改进,没有个三五年不可能把质量稳定下来。这还只是比较乐观的情况,是假设你们公司还没倒闭,假设你们公司技术能力够强有分析改进问题的能力。 国产化替代,必须是作为企业战略性的大项目来搞,必须有企业一把手的支持和监督。如果只是由采购或者相关的部门级的层面来发起,企业一把手不闻不问,将会是非常危险的,搞不好企业就因此玩完了! 国产化项目的负责人,建议由副总级的人作为项目负责人,直接向企业一把手汇报工作和承担相关责任。这个副总级的人必须是能够管采购、研发、质量、销售等部门的领导。如果是研发地位特别高的企业,可以考虑由研发一把手来做这个负责人,这种方式已经算下策了。千万不能把这么重要的项目放给更低层次的人负责,而企业高层不负责不监督。否则企业是怎么死的你都不知道! 由企业高层做项目负责人 ( 对项目进行负责和监督 ) ,具体的活还得由下属来干,那么负责人的核心助手——承担项目实际跟进和技术核心决策的人,至少是硬件一把手,如果有总工而且总工地位很高的企业,也可以由总工来做这个核心助手。 要搞元器件国产化,还必须做好元器件相关专业人才的储备工作。以下这三大领域专业人才的准备:包括硬件设计、元器件认证、失效分析几大领域,缺一不可。 可能有人会想,只是器件替代而已,关硬件设计人员什么事?也许大家都知道,国内不少企业的研发部门,原创的设计并不多。所谓的逆向工程,说难听点就是抄。在元器件都是大品牌的情况下,用这种线路设计可能没问题,换了更差的品牌,由于性能一定有差别,可能再用于这个线路设计就有问题了!所以国产化替代的时候,可能会涉及到电路设计的调整或者选用元器件参数的调整。即使有一些电路是原创的设计,也是经常会碰见用大品牌没问题用小品牌有问题的情况,这个还是与设计能力有关。如果企业没有比较专业的设计人才,那么国产化替代之后,以前不严谨的设计可能会导致很多质量问题,严重的是产品的功能、性能都有可能满足不了要求。 元器件认证人才对国产化替代的作用也不言而喻。设计人才解决的是元器件的应用问题,元器件认证人才解决的是元器件的固有可靠性问题。优秀的元器件认证人才,能够提前发现元器件的质量风险,当然这也是有局限的,越是复杂的器件(比如 IC ),越难发现元器件的固有可靠性问题。不少大公司有专门的元器件工程师,但是也有的公司还没有专门的这个岗位,如果想做国产化替代,建议增设这个岗位,而且要根据公司元器件种类的复杂性,必要时配多几个,个人建议每 5 个左右的硬件工程师要配一个元器件工程师。考虑到元器件工程师不是热门职位,真正有水平的元器件工程师并不容易招到,可以考虑由硬件工程师转岗做元器件工程师,而且要接受元器件管理、认证、失效分析相关知识的培训。 前面说的设计工程师解决元器件应用问题,元器件工程师解决元器件固有质量问题,这些在前期只是能发现部分问题,不可避免的有问题会流到市场上的,这时候就需要有专业的失效分析人员了。失效分析分系统级的和元器件级的。搞国产化替代,元器件级的失效分析人才最合适。国产化替代在批量应用后,肯定会碰见各种质量问题。必须把质量问题分析清楚才能不断改善质量。注意,根据经验,一般质量部门的质量管理人员分析质量问题做不深入,很难真正分析到质量问题的原因,所以一定要配备专门的元器件失效分析人员。当然,行业现状是专业的元器件失效分析人才非常紧缺。实在招不到这种人才,建议从水平较高的硬件工程师人员中培养,注意我这里要求的是水平高的硬件工程师,水平不够高还做不好这个职位,这个人员也要接受系统的失效分析培训。 IC 类的器件如果是器件本身质量问题,普通整机厂的失效分析人员一般是无法分析细化到其内部电路的,这时候需要有方法和会借力来分析定位问题。公司不大还想把分析设备都配齐那是不可能的,什么都想自己配而不会借力纯粹是浪费、得不偿失。 元器件认证和元器件失效分析,最核心技术是可以相通的,真正优秀的元器件认证工程师和真正优秀的元器件失效分析工程师可以合二为一。 如果以上的人才都没有真正的专业人才,甚至缺少其中一种人才,搞国产化替代都是风险极高的事情。所谓磨刀不误砍柴工,在准备搞国产化之前,建议必须把这些人才队伍建设好。设计方面的专业人才,得之前就有这方面的人才,否则不可能整个研发体系重新洗牌吧。元器件认证和失效分析方面的人才没有的话可以考虑从外面引进,不过找到真正厉害的人的可能性比较小,所以建议还是要有计划地培养发展这方面的人才。不要认为外来的和尚一定会念经,事实上即使是大公司招来的人,也有可能是滥竽充数的水平。
  • 热度 6
    2015-8-14 23:22
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    (续)一、电容器风波 接下来爱因迪生将调查到的事情真相一五一十地道来: 佳控电子厂去年2月起开始实施绩效考核,采购由于为了降成本指标向供应商万雄公司施压,4月份开始这颗料降价20%。由于降幅过大,估计这样降法万雄公司这颗料将会亏本,于是万雄公司换了一个同样耐压和容量但是损耗比较大高频性能较差的型号供给佳控电子厂,这两款电容只是型号后缀不同,而佳控电子厂的物料库上也没有写明后缀,因此供应商正好钻了这个空子。爱因迪生委托一个朋友以打样为由,在万雄公司了解到以上两款物料都能分别申请到样品。 去年五六月份的时候,这颗新料开始在佳控电子厂使用,生产老化的时候已经有个别失效,但是品保部的质量数据一直以来做过手脚,因此报表掩盖过去了。 IQC高主管去年5月来公司,开始鼓动品保武经理推动所谓“各司其职”的职责,也就是质量问题不让开发部和PE部(生产工程部)参与,由品保部负责,要求其他部门最多是协助其分析。他这样做的目的爱因迪生认为有二:一是IQC对供应商上更有话语权,他想说哪家好就说哪家好,说哪家差就说哪家差。就比如这个万雄的这个电容,爱因迪生问过采购,为何独家供应,采购称,其他品牌都被IQC高主管都否决了,其中被否决的一家品牌爱因迪生发现比万雄好,其中是否有猫腻就不言而喻了。推动“各司其职”的第二个目的是,为了让质量数据完全由品保部掌控,其他人获取不到质量全貌,品保部想怎么玩弄数据就怎么玩弄,其他人很难发现破绽,就像这个电容器,去年7月出了大问题,完全被品保部大事化无了,后续陆陆续续失效率比较高,但是数据上显示失效率很低。正是由于高超的数据玩弄能力,所以虽然实际物料质量越来越差,但是KPI考核时IQC高主管成为了优秀管理者。 去年7月份万雄的电容出问题后,IQC部给厂家分析过,厂家就分析说是过电压失效,由于IQC部没有判断能力,于是认为相信了这个结论,怕电容本身耐压不够引起失效,所以开始对这颗料进行全检。爱因迪生第一次参加会议时听说对这颗料全检,就知道以前出过大问题,否则这么简单的物料不可能搞得这么麻烦的。 全检后电容还是出问题,电容厂家不知道是否能想到是由于电容应用于高频方波电路发热严重引起,即使想到了可能也是迫于成本压力,反正一直是在供这款损耗大的型号的电容。 最早那家出批次问题的客户那里的机器,后面其实没改善多少,但是由于后来没有再下过订单,剩余的机器可能由于天气转凉,所以去年冬季以后失效率稍微降低,品保部就说质量改善有效,其实到了今年夏季,失效率又开始升高了,只是质量报表上继续掩盖了数据。 根据爱因迪生的测试,这款机器由于这个电容导致的平均失效率接近有1%左右,但是质量报表上只记录了不到万分之五的失效率。有的客户用量不大,因此坏了就换货,也就算了。即使有的公司有投诉,但是由于质量投诉都首先跑品保部去了,品保部也把事情压了下去。偶尔有业务员心怀不满,但也只是发发牢骚,还不至于告状到总经理方总那里去。要不是豪庆公司公司负责人直接向方总发飙,估计方总到现在还是被蒙在鼓里。 根据爱因迪生的调查,豪庆公司的应用跟别的公司有点不同,别的客户方波频率一般是5KHz-20 KHz,而豪庆公司的应用频率达45 KHz。应用频率越高,在同样的时间内电容器充放电次数越多,发热越严重,所以就越容易失效,豪庆公司才用几个月,失效率就达到了10%左右,所以这是一个无法忍受的数据。 最后爱因迪生与秦经理等一起决策,达成的改善方案如下: (1)    改回用低损耗且高频性能好的那种材质的陶瓷电容。 (2)    经过开发秦经理的认可,可以恰当减小电容器的容量,一来可以降低电容充放电电流,二来成本上也有优势。 (3)    对比测试修改后的电容和不良规格的电容在50KHz的温升,看是否有较大改善。 (4)    为了加速模拟失效,可以让软件工程师修改软件,使方波输出达80KHz,而且在40度条件下做老化试验,必要时可以提高老化温度,看失效率差异。 如果以上措施试验证明有效,则: (5)    豪庆公司的机器召回,换成新电容。 (6)    要求厂家增加加严D值测试标准,并增加100KHz时电容量和D值的要求,并以此为来料检验标准。物料库上把电容器的完整型号写上去。 (7)    后续生产老化时方波频率由20KHz改为50KHz。 (8)    建议佳控电子厂与所有供应商签订PCN(产品变更通知)协议。当然,如果后续有更多的元器件管理提升需求,可以继续找爱因迪生合作。 经过验证,以上改善方案有效,豪庆公司对佳控电子厂的原因分析和改善措施表示满意,后续继续合作。至于佳控电子厂内部人员处理和供应商处理之类的问题,爱因迪生没有掺和。 一年后爱因迪生回访,得知佳控电子厂这颗电容改善后的真实月总失效率在千分之一以下,不过IQC高主管之前作假之后的完美数据跟这个数据比也不毫不逊色呀。 (《一、电容器风波》完,探案集未完待续)  
  • 热度 2
    2015-1-14 16:14
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    大家好!收到客户提供的红外灯驱动板,板上的电解电容爆炸,部分板上红外LED灯驱动IC也烧坏,客户要求失效分析,想知道原因。   当电解电容过压、纹波电流过大、反接都会导致发热,当温度上升速度非常快的时候,就会爆炸;   请大家提供宝贵意见,分析分析,先谢过了!     上两张图片!         我来分析一下: 电解电容发生爆炸,原因不外乎有以下几个: 第一,供电电源接反,330uF/25V规格的电解电容电压反接,非常有可能爆炸,#1~#6的输入电解电容爆炸,#1、#2、#3、#5、#6的LED DRIVER IC也发生爆炸;电源反接的情况下,电容、驱动IC同时爆炸失效; 第二,工作电压过高,这个原因应该可以排除,实际应用电压超过电容规格25V的可能性不大; 第三,工作环境温度太高,客户使用的是普通电解电容,其ESR较大,可能达到几百毫欧,当流经电容的纹波电流较大时,其功率损耗增大,造成电容发热严重,而环境温度高,不利于其散热,这样恶性循环,有可能造成其爆炸,当电容失效爆炸,造成驱动IC损坏; 第四,雷击造成瞬时过电压,造成电容及驱动IC同时爆炸失效。 还有其它的原因,请各位朋友帮忙支持,感谢!
  • 热度 20
    2012-2-28 08:53
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            来到公司这个大家庭已经半年有余了,如今,记忆再也不是停留在军训、基地的培训了,而是在这里生活、工作的点点滴滴。         犹记得刚刚培训结束进入工作,就遇到一件麻烦的事。我所负责的整流桥失效了,被告知我需要对失效的物料进行分析,而刚接手工作的我,对如何展开工作完全没有头绪,又不知该何处问津。只急得像热锅上的蚂蚁。正在束手无策之时,同部门的前辈华叔走过来对我说:“来,跟我去下实验室,我教你如何分析。”来到实验室,对一切感到新奇,随手从失效的样品中拿出一颗物料放在手上,细细观察,又看不出所以然来,更无从下手。老徐从工衣里掏出一个小剪钳,说:“小伙子,坐那,看叔叔教你如何拆整流桥。”只见他小心翼翼的剪掉底板边沿的外壳,又用钳口轻轻的把导电端的铜板撬起,然后拗直,最后,将外壳一点点的剪掉。初步拆卸已经完成。        老徐向我示意了一下。将去了外壳的桥放在温箱中120°烤了五分钟,然后拿了出来,用剪钳剪掉环氧树脂。整个过程是那么的熟练又小心翼翼,我目不转睛的看,新鲜又奇怪,“华叔,不就是塑料么?为什么还要加热,还要一点点的剪掉呢?”老徐笑道:“年轻人,做事情不能着急、你知道这电极的下面可是晶元,用力稍大就可能把晶元震碎,要稳中求胜。等等你去拆一个看看。”我想着,塑料怎么会把晶元震碎呢?于是按照自己的想法快速的将晶元拆出来了,也照例将它放到加热台上加热,却不料不一会儿,晶元却果真四分五裂---被震碎了。我咂咂舌,才在心下服了气。        老徐的认真,第一次让我对未来要从事的工作有了一种冥冥的……敬畏,也让我学习了一种做事的态度,态度决定你事情的成败。        自此以后,也是渐渐在同事们的帮助下成长起来,工作也在日复一日的积累中基本走向正轨。同事中不乏工作认真、办事态度严谨的人。时常为一个问题争得面红耳赤,也会为了得到一个结果,实验室一待就是一整天。这也让身在其中我,对待问题总能保持着一种严谨求真的态度。        虽然有时工作中未免口角之争,然而大家的关系又是和谐融洽的,这边厢刚刚面红脖子粗,那边厢却又云淡风轻谈笑风生。工作生活,让我看到一种趣味。而我,也不再是那个刚走出校门,一腔热情什么也不懂的愣头青了。        再回首看,不是没有唏嘘的。日子一天一天过,平淡却也踏实。与当初还在象牙塔中的想象,不是一回事,是落到实处的琐碎与真实。
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    AgilentB1500A半导体器件分析仪目前,利用扫描探针显微镜(SPM)技术的纳米探测已能使用压电致动器达到纳米级(9-10nm)的探测水平。这篇应用指南将为您介绍一种新的失效分析技术,这项技术使用一种流行纳米探针,来自日立高科技公司制作的N-6000精细结构器件表征系统,以及AgilentB1500A半导体器件分析仪。N-6000可以直接接触集成电路内的器件,从而有助于弥补物理和电气失效分析技术之间的差异。用带纳米探针的AgilentB1500A进行失效分析应用指南B1500-7AgilentB1500A半导体器件分析仪引言目前,能探测极窄线宽的纳米探针技术取得了许多进展,从而能表征集成电路内单个器件的电气特性。这篇应用指南介绍如何用AgilentB1500A半导体器件分析仪进行这类测量,我们通过SRAM失效分析说明这项技术。常规存储器失效分析是用逻辑测试仪探测有失效的比特位,然后用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)进行实际观察和判断造成失效的成因。但SEM和TEM都属破坏性的测试,您只能在若干可能失效位置中观看其中一个点。这就大大限制了用户定位失效具体成因的能力。此外,对于非常小的残留物或异常掺杂密度造成的电性失效,也难以采用传统的物理观察技术来发现,因此需要增加一些其它类型的电气测试。常规器件电气测试方案需要把器上芯片间的切割道中。显然,这种方件放在带探针测试点的TEG(测试元件法不能在实际芯片内的失效位置上进组)中,而这一TEG则通常放在晶圆片行电气表征。目前,利用扫描探针显微镜(SPM)技术的纳米探测已能使用压电致动器达到纳米级(9-1……
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    非常好的一篇芯片测试验证和失效分析的流程,方法
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