Agilent B1500A半导体器件分析仪 目前，利用扫描探针显微镜(SPM) 技术的纳米探测已能使用压电致动器达到纳米级 (9-10 nm)的探测水平。这篇应用指南将为您介绍一种新的失效分析技术，这项技术使用一种流行纳米探针，来自日立高科技公司制作的N-6000精细结构器件表征系统，以及Agilent B1500A半导体器件分析仪。N-6000 可以直接接触集成电路内的器件，从而有助于弥补物理和电气失效分析技术之间的差异。 用带纳米探针的 Agilent B1500A 进行失效分析 应用指南 B1500-7 Agilent B1500A 半导体器件分析仪 引言 目前，能探测极窄线宽的纳米探 针技术取得了许多进展，从而能表征 集成电路内单个器件的电气特性。这 篇应用指南介绍如何用Agilent B1500A 半导体器件分析仪进行这类测量，我 们通过SRAM 失效分析说明这项技术。 常规存储器失效分析是用逻辑测 试仪探测有失效的比特位，然后用扫 描电子显微镜 (SEM) 和透射电子显微 镜 (TEM) 进行实际观察和判断造成失 效的成因。 但 SEM 和 TEM 都属破坏性的测 试，您只能在若干可能失效位置中观 看其中一个点。这就大大限制了用户 定位失效具体成因的能力。此外，对 于非常小的残留物或异常掺杂密度造 成的电性失效，也难以采用传统的物 理观察技术来发现，因此需要增加一 些其它类型的电气测试。 常规器件电气测试方案需要把器 上芯片间的切割道中。显然，这种方 件放在带探针测试点的TEG (测试元件 法不能在实际芯片内的失效位置上进 组) 中，而这一 TEG 则通常放在晶圆片 行电气表征。 目前，利用扫描探针显微镜 (SPM) 技术的纳米探测已能使用压电 致动器达到纳米级 (9-1……