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IRFB31N20DPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有以下详细参数说明：-最大耐压（VDS）：200V-最大电流（ID）：35A-导通电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,20VGs（±V）-阈值电压（Vth）：3V-封装形式：TO220应用简介：IRFB31N20DPBF-VB适用于低电压高电流应用。它可以用于各种需要高功率开关的场景，具有低导通电阻和高耐压能力，可实现高效率的电源开关和电能转换。该产品适用于以下领域模块：1.电源模块：IRFB31N20DPBF-VB适用于各种电源模块，包括电源逆变器、开关稳压电源、UPS电源等。它的低导通电阻和高耐压能力可提供高效、可靠的电源开关功能。2.驱动模块：IRFB31N20DPBF-VB可以用于驱动单相或三相电机的驱动模块。其高电流能力和低导通电阻可提供高效的电机驱动功能。3.照明模块：IRFB31N20DPBF-VB适用于LED照明模块的开关。其低导通电阻和高耐压能力可实现高效率的照明控制。总之，IRFB31N20DPBF-VB适用于涉及高电流、低电压和高效率的各种应用领域，包括电源模块、驱动模块和照明模块等。

详细参数说明：-型号：AP40N03GP-VB-丝印：VBM1310-品牌：VBsemi-参数： -沟道类型：N沟道 -额定电压：30V -额定电流：80A -开启电阻RDS(ON)：6mΩ@10V,9mΩ@4.5V -门源极电压范围：20Vgs(±V) -阈值电压：2Vth(V) -封装：TO220应用简介：AP40N03GP-VB是一种N沟道功率MOSFET，适用于广泛的应用领域。其具有低开启电阻和高额定电流，能够提供高效率和可靠性的电源控制。该产品可以广泛应用于以下领域模块：1.电源模块：由于AP40N03GP-VB具有80A的额定电流和低开启电阻，能够提供高效的电源控制功能，因此可以用于各种需求大电流的电源模块，如很多电源电路中的DC-DC开关电源、电池管理系统等。2.电机驱动模块：AP40N03GP-VB作为功率MOSFET，可以用于电机控制模块中，通过控制开启和关闭，实现对电机的驱动控制，适用于各种电机类型，如直流电机、步进电机等。3.LED照明模块：AP40N03GP-VB具有低开启电阻和高可靠性，可以用于LED照明模块中的开关电源控制。它可提供高效的电源管理，确保LED的亮度和稳定性。4.电动工具：由于AP40N03GP-VB具有高额定电流和低开启电阻，它能够用于电动工具中的电源控制模块，如电钻、电锤等。它能够提供高效的电源管理和可靠性，提升电动工具的性能和使用寿命。总之，AP40N03GP-VB广泛用于电源模块、电机驱动模块、LED照明模块和电动工具等领域模块，以提供高效率和可靠性的电源控制功能。它是一种高性能的N沟道功率MOSFET。

型号:NTP6413ANG-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON)):38mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):2V-封装:TO220应用简介:NTP6413ANG-VB是一种N沟道场效应晶体管(FET)，适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：1.**电源开关：**NTP6413ANG-VB可用作电源开关，用于控制电路中的大电流流动。其高额定电压和低导通电阻使其适用于高功率电源开关电路。2.**电源管理：**在电源管理模块中，NTP6413ANG-VB可以帮助控制电源的开关和稳定输出电压，适用于各种电源管理应用。3.**电池保护：**在锂电池保护电路中，NTP6413ANG-VB可用于实现电池的充电和放电控制，确保电池的安全运行。4.**电源逆变器：**在逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、电力电子变频器等领域。5.**电机驱动：**在高功率电机控制和驱动器应用中，NTP6413ANG-VB可用于控制电机的启停和速度控制，例如电动汽车驱动和工业电机驱动。这些应用领域涵盖了各种高功率电子设备和模块，NTP6413ANG-VB的高额定电压、低导通电阻和高电流容忍能力使其成为用于高功率电源管理、电流控制和电源开关的理想元件。它可以在各种高功率电路中实现高效率和可靠性。

型号：NDP6020P-VB丝印：VBM2309品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：8mΩ@10V，11mΩ@4.5V-门极-源极电压（Vgs）：20V（±V）-開啟電壓（门极阈值电压）：-1.75V-封装：TO220应用简介：NDP6020P-VB是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有高电流承受能力和低漏极-源极电阻，适用于多种高功率电子应用领域。应用领域：1.**电源模块**：NDP6020P-VB适用于开关电源、电源管理模块和高功率电源放大器，有助于提高电能转换效率，特别适用于高功率应用。2.**电机驱动**：这种MOSFET器件的高电流承受能力和低电阻使其非常适合用于高功率电机驱动器、电机控制和电机保护，可用于工业电机和汽车电机等领域。3.**电池保护**：在高功率电池组中，如电动汽车、电池储能系统和电池保护模块，NDP6020P-VB可用于电池保护和电池组的高电流管理。4.**电源开关**：这种MOSFET可用于高功率和高电流的开关电路，如电源开关、直流-直流转换器和电源逆变器。5.**音频放大器**：在高功率音频放大器中，NDP6020P-VB可用于输出级别的功率放大，用于音响系统和音响设备。总之，NDP6020P-VB是一款高功率电子器件，适用于需要高电流承受能力、低电阻和可靠性的各种高功率电子应用领域。它可以用于电源管理、电机控制、电池保护、电源开关、音频放大器等模块。

型号：NCE0117-VB丝印：VBM1101M品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：18A-开态电阻(RDS(ON))：127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压(Vth)：2~4V-封装：TO220应用简介：NCE0117-VB是一款N沟道MOSFET，适用于需要高电压承受能力和中等电流的应用。这款MOSFET可用于电源开关、电机控制、电池保护和其他需要高性能的电路。主要特点和应用领域：1.**电源开关**：NCE0117-VB可用于电源开关应用，如开关电源、DC-DC变换器和开关稳压器。其高电压承受能力和适中的电流特性使其适用于处理高电压电源。2.**电机控制**：在电机驱动器和控制系统中，这款MOSFET可用于电机控制，例如直流电机、步进电机和电动汽车电机控制。3.**电池保护**：在电池供电系统中，NCE0117-VB可以用于电池充放电控制、保护和平衡，确保电池组的安全运行。4.**高电压应用**：由于其高电压承受能力，该MOSFET适用于需要处理高电压的电路设计。5.**电流开关**：这款MOSFET可用于电流开关应用，例如电流限制和保护电路。总之，NCE0117-VB适用于多个领域，包括电源开关、电机控制、电池保护、高电压应用和电流开关等模块。其N沟道特性和高电压承受能力等特性使其成为处理高电压和中等电流应用的理想选择，同时也可用于各种需要高性能N沟道MOSFET的电路设计。

型号：HM70P04-VB丝印：VBM2406品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-40V-最大电流：-80A-开态电阻(RDS(ON))：4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈值电压(Vth)：-2V-封装：TO220应用简介：HM70P04-VB是一款高性能P沟道MOSFET，适用于需要高电流承受能力和低开态电阻的高功率应用。这款MOSFET可用于电源开关、电机控制、电池保护和其他需要高性能的电路。主要特点和应用领域：1.**电源开关**：HM70P04-VB可用于电源开关应用，如开关电源、DC-DC变换器和开关稳压器。其高电流承受能力和低开态电阻使其适用于处理高功率电源。2.**电机控制**：在电机驱动器和控制系统中，这款MOSFET可用于电机控制，例如直流电机、步进电机和电动汽车电机控制。3.**电池保护**：在电池管理系统中，HM70P04-VB可以用于电池充放电控制、保护和平衡，确保电池组的安全运行。4.**高功率应用**：由于其高电流承受能力和低开态电阻，该MOSFET适用于需要高性能和高功率的电路设计。5.**电流开关**：这款MOSFET可用于电流开关应用，例如电流限制和保护电路。总之，HM70P04-VB适用于多个领域，包括电源开关、电机控制、电池保护、高功率应用和电流开关等模块。其高电流承受能力和低开态电阻等特性使其成为处理高功率应用的理想选择，同时也可用于各种需要高性能P沟道MOSFET的电路设计。

型号:STP80NF55-08-VB丝印:VBM1606品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:120A-静态导通电阻(RDS(ON)):5mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON)):44mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):3.6V-封装:TO220应用简介:STP80NF55-08-VB是一种N沟道场效应晶体管(FET)，适用于多种高功率电子设备和应用领域，具有以下主要应用：1.**电源开关：**STP80NF55-08-VB可用作电源开关，用于控制电路中的电流流动。它的高电流容忍能力和低导通电阻使其在高功率应用中非常有效。2.**电机驱动：**在电机控制和驱动器应用中，这种N沟道FET可用于控制电机的启停和速度控制，例如直流电机驱动和步进电机驱动。3.**电源逆变器：**在逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、UPS系统等。4.**电源放大器：**可以用于音频放大器和其他功率放大器，以增强音频信号的输出功率。5.**电源管理：**在电源管理模块中，STP80NF55-08-VB可以帮助控制电源的开关和稳定输出电压，适用于各种电源管理应用。这些应用领域涵盖了各种高功率电子设备和模块，STP80NF55-08-VB的高性能和高电流容忍能力使其成为用于电源管理、电机控制和功率放大的理想元件。它可以在各种高功率应用中实现高效率和可靠性。

型号：IPP052NE7N3G-VB丝印：VBM1808品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：80V-最大连续电流：100A-静态开启电阻（RDS(ON)）：7mΩ@10V,9mΩ@4.5V-门源极电压（Vgs）：20V（±V）-阈值电压（Vth）：2.7V-封装类型：TO220应用简介：IPP052NE7N3G-VB是一款高电压高电流N沟道功率MOSFET，适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块：1.**电源开关模块**：该MOSFET可用于高电压高电流电源开关模块，以实现高效电源的开关和调节。它适用于工业电源系统和高电流电源应用。2.**电机控制模块**：IPP052NE7N3G-VB可用于高电压高电流电机控制模块，如电机驱动、高电压步进电机控制和高电压无刷直流电机驱动。3.**电池保护模块**：在高电压电池供电系统中，此MOSFET可用于电池保护电路，以防止过放电和过充电。其高电流和电压特性使其适用于高电压电池系统。4.**高压DC-DC变换器**：在需要高电压转换的DC-DC变换器中，IPP052NE7N3G-VB可用作开关器件，以帮助实现高电压电能转换。5.**电力放大模块**：该MOSFET可以用于音频放大器和电力放大器等高电流高电压模块，以提供高性能的电力放大。这些是一些可能用到IPP052NE7N3G-VBN沟道高电压高电流MOSFET的应用领域模块的示例。该器件的参数使其适用于需要处理高电压和高电流的应用，特别是在需要低导通电阻的场合。在实际应用中，请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件，以确保最佳性能和可靠性。

型号:IRF540NPBF-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON)):38mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):2V-封装:TO220应用简介:IRF540NPBF-VB是一种N沟道场效应晶体管(FET)，适用于多种高功率电子设备和应用领域，具有以下主要应用：1.**电源开关：**IRF540NPBF-VB可用作电源开关，用于控制高功率电路中的电流流动。它的高电流容忍能力和低导通电阻使其在高功率应用中非常有效。2.**电机驱动：**在电机控制和驱动器应用中，这种N沟道FET可用于控制电机的启停和速度控制，例如直流电机驱动和步进电机驱动。3.**电源逆变器：**在逆变器应用中，它可以用于将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、UPS系统等。4.**电源放大器：**可以用于音频放大器和其他功率放大器，以增强音频信号的输出功率。5.**电源管理：**在电源管理模块中，IRF540NPBF-VB可以帮助控制电源的开关和稳定输出电压，适用于各种电源管理应用。这些应用领域涵盖了各种高功率电子设备和模块，IRF540NPBF-VB的高性能和高电流容忍能力使其成为用于电源管理、电机控制和功率放大的理想元件。它可以在各种高功率应用中实现高效率和可靠性。

型号：IRLZ34NPBF-VB丝印：VBM1638品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：50A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：24mΩ@10V，28mΩ@4.5V-门极-源极电压（Vgs）：20V（±V）-開啟電壓（门极阈值电压）：1.8V-封装：TO220应用简介：IRLZ34NPBF-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET）器件，具有较高的电流承受能力和低漏极-源极电阻。这些特性使其在多种高性能电子应用中非常有用。应用领域：1.**电源模块**：IRLZ34NPBF-VB具有低漏极-源极电阻，适用于开关电源和电源管理模块，有助于提高电能转换效率。2.**电机驱动**：这种MOSFET器件的高电流承受能力使其非常适合用于电机驱动器、电机控制和电机保护，可用于各种电机应用。3.**电池管理**：在电动汽车、电动工具和便携式设备中，IRLZ34NPBF-VB可用于电池管理系统，确保电池的安全充放电和保护。4.**高频开关电路**：由于其低电阻和高性能，这种MOSFET适用于高频开关电路，如DC-DC变换器、电源逆变器等。5.**LED驱动**：IRLZ34NPBF-VB可用于LED驱动器和照明控制，以提供高效的LED照明。总之，IRLZ34NPBF-VB是一款多功能的电子器件，适用于需要高电流、低电阻、高效率和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、电机控制、电池保护、高频开关电路、LED照明等模块。

型号:44N10-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(ON)):38mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):2V-封装:TO220应用简介:44N10-VB是一种N沟道场效应晶体管(FET)，具有高电压容忍能力和较低的导通电阻。它适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：1.**电源开关：**44N10-VB可用作电源开关，用于控制高电压电源电路的开关，例如电源逆变器和开关电源。2.**电机驱动：**在高功率电机驱动应用中，这种高电流FET可以用于控制电机的启停和速度控制。3.**电子开关：**适用于各种高功率电子开关应用，如电源分配单元、开关电路和电源管理模块。4.**电池保护：**在锂电池保护电路中，44N10-VB可用于实现充电和放电的控制，以确保电池的安全运行。5.**电源调节：**可以用于电源调节电路，帮助稳定输出电压并降低功率损耗。这些应用领域涵盖了需要高电压和高电流处理能力的多种高功率电子设备和模块。44N10-VB的特点使其成为用于高性能电源管理和电机控制的重要元件。

型号：FTP540-VB丝印：VBM1104N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：100V-最大电流：55A-静态开启电阻(RDS(ON))：36mΩ@10V,38mΩ@4.5V-门源极电压(Vgs)：20V(±V)-阈值电压(Vth)：2V-封装类型：TO220应用简介：FTP540-VB是一种高功率N沟道MOSFET，适用于需要高电压和高电流承受能力的各种电子应用，以下是一些可能的应用领域：1.电源模块：这款MOSFET可用于高功率电源模块中的功率开关，可应用于工业电源、电动工具和电动车辆充电器等应用中，以提高电源效率。2.电机驱动：FTP540-VB可用于高功率电机驱动电路，如工业电机控制、电动汽车电机驱动器等，以实现高效的电机运行。3.电池管理：它还可以用于电池管理系统中，控制电池的充电和放电，确保电池的安全和性能。4.高功率逆变器：在需要高功率逆变器的应用中，如电焊设备和高功率电炉，FTP540-VB可以用作关键的开关元件。5.汽车电子：由于其高电压和电流特性，这种MOSFET也适用于汽车电子系统，如车辆电源管理和驱动控制。FTP540-VB的高电压和电流承受能力，以及低导通电阻，使其成为各种高性能、高功率电子应用的理想选择。然而，在选择和使用该器件时，仍然需要详细了解其数据手册和性能参数，以确保其满足特定应用的要求。

型号:IRF4905PBF-VB丝印:VBM2625品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-60V-最大电流:-50A-静态导通电阻(RDS(ON)):19mΩ@10V,26mΩ@4.5V-门源电压(Vgs):±20V-阈值电压(Vth):-1.96V-封装类型:TO220应用简介:IRF4905PBF-VB是一款P沟道场效应晶体管，适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域：1.**电源开关**:这款晶体管可用于电源开关电路，帮助实现高效的电源控制和管理，特别适用于工业电源和电力电子模块。2.**电机控制**:由于其高电流承受能力和低导通电阻，它适用于电机驱动模块，用于控制电机的速度和方向，例如工业机械和机器人应用。3.**逆变器**:在逆变器模块中，IRF4905PBF-VB可以用作开关器件，帮助转换直流电源为交流电源，用于各种应用，如太阳能逆变器和电源逆变器。4.**电池保护**:它还可以用于电池保护模块，确保电池在充电和放电过程中保持安全和稳定，例如电动车电池管理系统。5.**电源放大**:在音频放大器和功率放大器模块中，这款晶体管可用于放大电源信号，实现音频增强。总之，IRF4905PBF-VB适用于多种电子模块和电路，包括电源开关、电机控制、逆变器、电池保护和功率放大等领域。其P沟道特性、高电流承受能力和低导通电阻使其成为广泛应用的元器件。

型号：UT100N03L-VB丝印：VBM1303品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-额定电压（Vds）：30V-额定电流（Id）：120A-导通电阻（RDS(ON)）：3mΩ@10V,4mΩ@4.5V,20Vgs-阈值电压（Vth）：1.7V-封装类型：TO220应用简介：UT100N03L-VB是一款N沟道MOSFET，具有低导通电阻、低阈值电压和高额定电流的特性，适用于各种电子应用中。以下是该产品可能的应用领域：1.电源管理模块：  UT100N03L-VB的低导通电阻和高额定电流使其成为电源管理模块中的理想选择。它可以用于开关稳压器、DC-DC转换器和电源开关，帮助提高电源效率并减少能量损耗。2.电机驱动器：  这款MOSFET适用于电机驱动器，如电动工具、电动汽车电机控制和无刷直流电机控制。其高电流处理能力和低导通电阻可提供高效的电机控制和更好的性能。3.电池保护电路：  在锂电池保护电路中，UT100N03L-VB可以用于断开电池充放电电路以保护电池免受过充和过放的损害。低导通电阻有助于减少能量损耗。4.LED驱动器：  由于其低导通电阻和低阈值电压，该MOSFET适用于LED驱动器电路，帮助实现高效的LED照明系统。5.电子开关：  在各种电子开关应用中，UT100N03L-VB可以用于开关电路，如开关电源、开关电路保护和功率开关。总之，UT100N03L-VB是一款多功能的N沟道MOSFET，适用于许多不同的领域模块，包括电源管理、电机控制、电池保护、LED驱动和电子开关等。它的性能特点使其在高功率应用中表现出色，并有助于提高系统的效率和性能。请在具体应用中参考其数据手册以确保正确使用。

详细参数说明：-型号：IPP084N06L3G-VB-丝印：VBM1606-品牌：VBsemi-参数：N沟道、60V、120A、RDS(ON)、5mΩ@10V、44mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、3.6Vth(V)、TO220应用简介：IPP084N06L3G-VB是一款N沟道功率电晶体，其主要应用于需要调节或开关大电流的电路中。由于其低导通电阻和高耐压特性，适用于高负载和高功率的应用。该产品可以用于各种领域的模块中，包括但不限于电源模块、工业自动化模块、电动车辆模块和照明模块等。具体应用领域模块举例：1.电源模块：IPP084N06L3G-VB可用于制造高功率电源模块，如服务器电源、工业电源和通信设备电源等。其低导通电阻和高耐压特性可以提供高效率和稳定的电源输出。2.工业自动化模块：在工业自动化领域，IPP084N06L3G-VB可用于电机驱动模块、PLC模块和可编程逻辑控制器等设备。其高电流和低导通电阻可以实现快速响应和可靠的开关操作。3.电动车辆模块：IPP084N06L3G-VB适用于电动车辆的电源控制模块和电机驱动模块。其高电流承载能力和低导通电阻可以提供高效的电源输出和优良的驱动性能。4.照明模块：该产品可用于LED照明模块和其他照明设备中的功率调节模块。其低导通电阻可以降低功耗，提高照明效率。总之，IPP084N06L3G-VB适用于需要高电流和低导通电阻的电路中，可以广泛应用于电源模块、工业自动化模块、电动车辆模块和照明模块等领域模块中。

详细参数说明：-型号：FDV303N-NL-VB-丝印：VB1240-品牌：VBsemi-参数：-N沟道-额定电压：20V-额定电流：6A-静态电阻：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V-门源电压：8Vgs(±V)-阈值电压：0.45~1Vth(V)-封装：SOT23应用简介：FDV303N-NL-VB是一款N沟道MOSFET晶体管，适用于各种领域的电子电路设计。它具有20V的额定电压和6A的额定电流，适用于工业控制、通信设备、汽车电子以及消费类电子产品等领域的模块设计。这些产品主要用于以下领域模块：1.工业控制模块：FDV303N-NL-VB具有较高的额定电流和低的静态电阻，可用于工业控制模块中的电源开关、驱动器以及电机控制等应用。2.通信设备模块：该MOSFET晶体管适用于通信设备模块中的电源管理、功率放大和信号传输等应用，以提供更好的功率和性能。3.汽车电子模块：FDV303N-NL-VB能够承受较高的额定电流和电压，适用于汽车电子模块中的电动车控制、照明系统以及电池管理等应用。4.消费类电子产品模块：由于其封装为SOT23，FDV303N-NL-VB适合用于占用空间较小的消费类电子产品模块，如手机、平板电脑和便携式音频设备等。总之，FDV303N-NL-VB可广泛应用于各种领域的模块设计中，其具有较低的静态电阻和高的额定电流，可提供可靠的功率和性能。

型号：IRF830A丝印：VBM16R08品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：600V-额定电流：8A-RDS(ON)：780mΩ@10V，1070mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门源阈值电压：3V-封装类型：TO220应用简介：IRF830A（丝印：VBM16R08）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：IRF830A是一款具有高额定电压和电流承载能力的N沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为600V，额定电流为8A，RDS(ON)为780mΩ@10V，1070mΩ@4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为3V，封装类型为TO220。应用领域：IRF830A（VBM16R08）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：IRF830A可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2.电机驱动：它可应用于电机驱动电路中，提供高功率和高效能的电力输出，适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。3.高压电源系统：IRF830A适用于需要高额定电压和电流承载能力的高压电源系统，如高压DC/DC转换器和高压逆变器。综上所述，IRF830A（VBM16R08）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电机驱动和高压电源系统等领域模块。它具有高额定电压和电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。

型号:IRF530NPBF丝印:VBM1101M品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):100V -额定电流(ID):18A -开通电阻(RDS(ON)):127mΩ@10V,132mΩ@4.5V -阈值电压(Vth):2~4V -封装类型:TO220应用简介:这款IRF530NPBFMOSFET是一款高电压N沟道MOSFET，适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和较大的电流承载能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：-电源管理模块：适用于高压开关电源、DC-DC变换器、逆变器等高功率电源模块。-高功率电机控制模块：用于高压高功率直流电机驱动、步进电机驱动等电机控制模块。-高压照明模块：适用于高压高功率照明驱动和控制模块。-高压工业控制模块：适用于高压工业控制系统的功率开关和控制模块。总之，IRF530NPBFMOSFET适用于需要高电压高功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的大电流控制和功率转换功能，特别适用于高压高功率应用的模块。

型号：MTB1D7N03E3丝印：VBM1302品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：180A-RDS(ON)：2mΩ@10V，2.8mΩ@4.5V-门源电压范围：20V-门源阈值电压：1.7V-封装类型：TO220应用简介：MTB1D7N03E3（丝印：VBM1302）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：详细参数说明：MTB1D7N03E3是一款N沟道功率MOSFET，具有高电压和大电流承载能力。主要参数包括额定电压为30V，额定电流为180A，RDS(ON)为2mΩ@10V，2.8mΩ@4.5V，门源电压范围为20V，门源阈值电压为1.7V，封装类型为TO220。应用领域：MTB1D7N03E3（VBM1302）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的高电压和大电流承载能力的电路。以下是一些典型的应用领域：1.电源管理模块：MTB1D7N03E3可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。2.电机驱动：它可应用于电机驱动电路中，提供高功率和高效能的电力输出，适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。3.汽车电子系统：MTB1D7N03E3适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足汽车电子系统对高电压和高功率的要求。综上所述，MTB1D7N03E3（VBM1302）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电机驱动和汽车电子系统等领域模块。它具有高电压和大电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。

STP30NF20(VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。应用简介：STP30NF20适用于高电压应用，如电源开关和电机控制。其低导通电阻和高耐压特性使其在高功率场景中表现出色。适用领域与模块：适用于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块，特别适合高电压要求的场景。