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【IRFB31N20DPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-28
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资料介绍
IRFB31N20DPBF-VB是VBsemi品牌的一款N沟道功率金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),具有以下详细参数说明:

- 最大耐压(VDS):200V
- 最大电流(ID):35A
- 导通电阻(RDS(ON)):58mΩ @ 10V, 20V Gs(±V)
- 阈值电压(Vth):3V
- 封装形式:TO220

应用简介:
IRFB31N20DPBF-VB适用于低电压高电流应用。它可以用于各种需要高功率开关的场景,具有低导通电阻和高耐压能力,可实现高效率的电源开关和电能转换。

该产品适用于以下领域模块:

1. 电源模块:IRFB31N20DPBF-VB适用于各种电源模块,包括电源逆变器、开关稳压电源、UPS电源等。它的低导通电阻和高耐压能力可提供高效、可靠的电源开关功能。

2. 驱动模块:IRFB31N20DPBF-VB可以用于驱动单相或三相电机的驱动模块。其高电流能力和低导通电阻可提供高效的电机驱动功能。

3. 照明模块:IRFB31N20DPBF-VB适用于LED照明模块的开关。其低导通电阻和高耐压能力可实现高效率的照明控制。

总之,IRFB31N20DPBF-VB适用于涉及高电流、低电压和高效率的各种应用领域,包括电源模块、驱动模块和照明模块等。

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