丝印: VBM1104N
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N沟道
- 额定电压: 100V
- 最大电流: 55A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 36mΩ @ 10V
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 38mΩ @ 4.5V
- 门源电压 (Vgs): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 2V
- 封装: TO220
应用简介:
44N10-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET)，具有高电压容忍能力和较低的导通电阻。它适用于多种电子设备和应用领域，具有以下主要应用：
1. **电源开关：** 44N10-VB可用作电源开关，用于控制高电压电源电路的开关，例如电源逆变器和开关电源。
2. **电机驱动：** 在高功率电机驱动应用中，这种高电流FET可以用于控制电机的启停和速度控制。
3. **电子开关：** 适用于各种高功率电子开关应用，如电源分配单元、开关电路和电源管理模块。
4. **电池保护：** 在锂电池保护电路中，44N10-VB可用于实现充电和放电的控制，以确保电池的安全运行。
5. **电源调节：** 可以用于电源调节电路，帮助稳定输出电压并降低功率损耗。
这些应用领域涵盖了需要高电压和高电流处理能力的多种高功率电子设备和模块。44N10-VB的特点使其成为用于高性能电源管理和电机控制的重要元件。
