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【IRF540NPBF-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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类别: 消费电子
时间:2024-02-27
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资料介绍
型号: IRF540NPBF-VB
丝印: VBM1104N
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N沟道
- 额定电压: 100V
- 最大电流: 55A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 36mΩ @ 10V
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 38mΩ @ 4.5V
- 门源电压 (Vgs): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 2V
- 封装: TO220

应用简介:
IRF540NPBF-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET),适用于多种高功率电子设备和应用领域,具有以下主要应用:

1. **电源开关:** IRF540NPBF-VB可用作电源开关,用于控制高功率电路中的电流流动。它的高电流容忍能力和低导通电阻使其在高功率应用中非常有效。

2. **电机驱动:** 在电机控制和驱动器应用中,这种N沟道FET可用于控制电机的启停和速度控制,例如直流电机驱动和步进电机驱动。

3. **电源逆变器:** 在逆变器应用中,它可以用于将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能逆变器、UPS系统等。

4. **电源放大器:** 可以用于音频放大器和其他功率放大器,以增强音频信号的输出功率。

5. **电源管理:** 在电源管理模块中,IRF540NPBF-VB可以帮助控制电源的开关和稳定输出电压,适用于各种电源管理应用。

这些应用领域涵盖了各种高功率电子设备和模块,IRF540NPBF-VB的高性能和高电流容忍能力使其成为用于电源管理、电机控制和功率放大的理想元件。它可以在各种高功率应用中实现高效率和可靠性。
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