丝印：VBM16R08
品牌：VBsemi
参数：
- 频道类型：N沟道
- 额定电压：600V
- 额定电流：8A
- RDS(ON)：780mΩ @ 10V，1070mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围：±20V
- 门源阈值电压：3V
- 封装类型：TO220
IRF830A（丝印：VBM16R08）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介：
详细参数说明：
IRF830A是一款具有高额定电压和电流承载能力的N沟道功率MOSFET。主要参数包括额定电压为600V，额定电流为8A，RDS(ON)为780mΩ @ 10V，1070mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为3V，封装类型为TO220。
应用领域：
IRF830A（VBM16R08）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域：
1. 电源管理模块：IRF830A可用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，改善系统的功耗和效率。
2. 电机驱动：它可应用于电机驱动电路中，提供高功率和高效能的电力输出，适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。
3. 高压电源系统：IRF830A适用于需要高额定电压和电流承载能力的高压电源系统，如高压DC/DC转换器和高压逆变器。
综上所述，IRF830A（VBM16R08）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电机驱动和高压电源系统等领域模块。它具有高额定电压和电流承载能力，适用于需要高功率和高效能的电路。
