标签: 光刻胶

半导体材料作为半导体产业链上游的重要环节，在芯片的生产制造过程中起到关键性作用。根据芯片制造过程划分，半导体材料主要分为基体材料、制造材料和封装材料。其中，基体材料主要用来制造硅晶圆或化合物半导体；制造材料主要是将硅晶圆或化合物半导体加工成芯片所需的各类材料；封装材料则是将制得的芯片封装切割过程中所用到的材料。 制造材料 1、光刻胶 光刻胶是光刻工艺的核心材料，其主要是通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻材料。按照下游应用场景不同，光刻胶可分为半导体光刻胶、LCD光刻胶和PCB光刻胶。从组成成分来看，光刻胶主要成分包括光刻胶树脂、感光剂、溶剂和添加剂等。 在光刻工艺中，光刻胶被涂抹在衬底上，光照或辐射通过掩膜板照射到衬底后，光刻胶在显影溶液中的溶解度便发生变化，经溶液溶解可溶部分后，光刻胶层形成与掩膜版 wan全 相同的图形，再通过刻蚀在衬底上完成图形转移。根据下游应用的不同，衬底可以为印刷电路板、面板和集成电路板。光刻工艺是半导体制造中的核心工艺。 2、溅射靶材 靶材是制备电子薄膜材料的溅射工艺*不可少的原材料。溅射工艺主要利用离子源产生的离子，在真空中加速聚集成高速度流的离子束流，轰击固体表面，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体称为溅射靶材。 溅射靶材主要应用于半导体、平板显示和太阳能电池等领域。半导体对靶材的金属纯度和内部微观结构要求最高，通常要求达到99.9995%（5N5）以上，平板显示器、太阳能电池的金属纯度要求相对较低，分别要求达到99.999%（5N）、99.995%（4N5）以上。 3、抛光材料 化学机械抛光（CMP）其工作原理是在一定压力及抛光液的存在下，被抛光的晶圆片与抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间有机结合，使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。 抛光垫和抛光液是最主要的抛光材料，其中，抛光液是一种不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂，主要起到抛光、润滑、冷却的作用，而抛光垫主要作用是存储、传输抛光液，对硅片提供一定压力并对其表面进行机械摩擦，是决定表面质量的重要辅料。 4、电子特气 电子特种气体（简称“电子特气”）是仅次于硅片的第二大半导体原材料，下游应用广泛。电子特气是指用特殊工艺生产并在特定领域中应用的，在纯度、品种、性能等方面有特殊要求的纯气、高纯气或由高纯单质气体配置的二元或多元混合气（具体产品如下图所示）。电子特气是电子工业中的关键性化工材料，下游应用涵盖半导体、显示面板、光纤光缆、光伏、新能源汽车、航空航天等多个领域。 5、掩膜版 又称为光罩、光掩膜、光刻掩膜版，是半导体芯片光刻过程中的设计图形的载体，通过光刻和刻蚀，实现图形到硅晶圆片上的转移。通常根据需求不同，选择不同的玻璃基板。 6、湿电子化学品 又称为超净高纯试剂，主要用于半导体制造过程中的各种高纯化学试剂。按照用途可分为通用湿电子化学品和功能性湿电子化学品，其中通用湿电子化学品一般是指高纯度的纯化学溶剂，如高纯去离子水、氢氟酸、硫酸、磷酸、硝酸等较为常见的试剂。功能性湿电子化学品是指通过复配手段达到特殊功能、满足制造过程中特殊工艺需求的配方类化学品，如显影液、剥离液、清洗液、刻蚀液等，经常使用在刻蚀、溅射等工艺环节。在晶圆制造过程中，主要使用高纯化学溶剂去清洗颗粒、有机残留物、金属离子、自然氧化层等污染物。

据媒体报道，富士胶片（Fujifilm Holdings）将在截至2024年3月的三年内，向其半导体材料业务投资6.37亿美元 （约合700 亿日元），以应对5G和人工智能全球芯片需求激增的需求。 富士胶片是著名的日本精密化学制造、胶片、存储媒体和相机生产商。随着传统胶片业务日益萎缩，该公司近些年来大胆转型，实施业务多元化战略，业务覆盖影像、印刷、医疗健康、高性能材料等重点领域。 向半导体材料投资的金额（6.37亿美元）较前一个三年计划增长约40%，凸显出在缺芯潮的背景下，全球芯片未来需求仍巨大。 富士胶片的目标是到2024年3月结束的年度，将其半导体材料的营收提高约30%至1500亿日元，使其与医疗保健业务一样成为推动公司营运增长的主要动力。 富士胶片还特别关注用于半导体制造所需的光刻胶市场。该公司将加强极紫外光 (EUV) 光刻胶的生产，EUV可用于生产5纳米或更先进的芯片。作为半导体材料投资计划的一部分，富士胶片将在其静冈县的工厂投资45亿日元，最快今年开始生产EUV光刻胶。 美国电子材料市场调查公司Techcet预计，2021年全球EUV光刻胶市场规模将增长约90%，至5100万美元，并将继续以每年超过50%的速度增长，直至2025年。 富士胶片在位于日本、美国、欧洲、韩国和中国的11家工厂生产六种用于芯片制造的材料，如光刻胶和化学机械抛光浆料。它还将在美国扩大其它半导体材料的产能。此外，该公司还计划将6.37亿美元资金中的一部分用于研发。 微信公众号：微电子制造

8月19日消息，上海新阳实现营业收入4.37亿元，同比增长45.78%，并且KrF光刻胶产品已通过客户认证，成功取得订单。 昨日上海新阳发布半年报称，2021上半年，公司实现营业收入4.37亿元，同比增长45.78%;实现净利润1.08亿元，同比增长316.82%;扣非后净利润4461.93万元，同比增长近八成。基本每股收益0.3624元/股。其业绩增长主要是公司晶圆制造用电镀液及清洗液等超纯化学产品营业收入大幅增长所致。 从利润来源来看，公司所持中芯国际的公允价值收益贡献了超过一半净利润。据披露，由于公司通过青岛聚源参与的中芯国际战略配售，报告期内公允价值变动收益实现7438.54万元， 影响净利润6322.76万元。 不过，公司经营活动现金流净额同比下降约三成。 上海新阳表示，报告期内公司晶圆制造用电镀液及清洗液等超纯化学产品营业收入大幅增长。分产品来看，电子化学材料配套设备增长最快，实现营收4470万元，同比劲翻倍，毛利率达到45%；电子化学材料营收达1.73亿元，同比增长近五成。 目前公司在半导体传统封装领域功能性化学材料销量与市占率全国第一，在集成电路制造关键工艺材料领域芯片铜互连电镀液及添加剂、蚀刻后清洗液已实现大规模产业化。 其中，公司原创的氮化硅蚀刻液产品打破垄断，订单持续增长 公司承担的国家科技专项原创产品、用于存储器芯片的氮化硅蚀刻液已经取得批量化订单，累计收到订单3000余万元，实现销售1350余万元，打破了该产品一直以来被国外公司垄断的状况。公司与客户合作开发的下一代产品，也已进入批量化测试阶段，公司将持续联合客户共同开发更高等级的蚀刻液产品。 报告期内，公司光刻胶项目投入和国家重大科技项目实施，公司研发投入同比增长1.6倍至7653.95万元，占营业收入的比重为17.5%，其中半导体业务研发投入占比约三成。 今年4月份，上海新阳定增发行2273万股，募集资金约8亿元；另外发行中期票据（高成长债）1亿元。用于晶圆制造用高端光刻胶、蚀刻液等项目的开展及第二生产基地项目的建设提供了充足的资金。 近年来，上海新阳正在重点布局第三大核心技术-光刻技术，并且已经立项开发集成电路制造用ArF（干法）、ArF（浸没式）、KrF（含厚膜）、I线等高端光刻胶，并布局采购了用于I线光刻胶研发的Nikon-i14型光刻机，用于KrF光刻胶研发的Nikon-205C型光刻机，用于ArF干法光刻胶研发的ASML-1400型光刻机，用于ArF浸没式光刻胶研发的ASML XT 1900 Gi型光刻机，现已全部到厂。 目前，其自主研发的KrF光刻胶产品已通过客户认证，并成功取得订单，光刻胶项目取得重大突破。 同日，上海新阳发布公告称，公司与上海超成科技有限公司（以下简称“超成科技”）于8月18日签署了《股权转让协议》，拟受让上海芯刻微材料技术有限责任公司（以下简称“芯刻微”）32%股权，交易价格为4800万元，转让完成后，上海新阳将持有芯刻微70%股权，超成科技持有芯刻微30%股权。 据披露，芯刻微目前系上海新阳的参股子公司，主要进行ArF浸没式光刻胶项目的研发。目前，芯刻微已引进韩国知名浸没式光刻胶研发团队，建立了8人的核心研发团队，建设完成140平方米的实验室净房，购入了实验室研发相关仪器设备，购入了ASML XT 1900 Gi型光刻机，为项目的验证开发打下了坚实基础，加速推动了公司实现全品类光刻胶供应的战略目标。据了解，该设备可用于研发分辨率达28nm的高端光刻胶。 另外，上海新阳自立项开发193nmArF干法光刻胶的研发及产业化项目以来，安排购买了ASML-1400光刻机等核心设备，该光刻机已于2020年底前运抵国内。该光刻机设备已经在今年3月份进入合作方北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司场地，后续将进行安装调试等相关工作。 上海新阳表示，在全球正面临缺少芯片的困境下，市场对于芯片的需求空前旺盛，随着下游客户芯片产能的逐步扩大，公司发行股份及债券募集资金的到位，能加速推进公司光刻胶及其他芯片制造关键工艺材料的开发及产业化，加快关键领域材料产品的进口替代，解决国家迫切需求。 民生证券近期研究指出，上海新阳是国内唯一超纯电镀液供应商，是半导体制造用芯片表面处理功能性化学品领军企业之一，现已实现电镀、清洗、研磨、光刻胶四大产品线布局，多产品处于快速放量前期。公司是国内唯一能够满足28-90nm晶圆制造技术节点的超纯电镀液供应商和主流的清洗液供应商，下游客户覆盖中芯、华虹、长存、长鑫等主流厂商，电镀、清洗的超纯产品合肥一期新产能1.5万吨/年，将于2022年初投产，在供不应求背景下，打开公司产能瓶颈，超纯产品有望实现快速增长。另外，公司是存储客户的氮化硅蚀刻液产品的国内独家供货商，该产品为公司独家研发成果，进一步丰富上量产品矩阵，拓展业绩动力源。

8月16日消息，彤程新材发布2021年半年度报告，并且使用自筹资金6.9853亿元，投资建设“ArF高端光刻胶研发平台建设项目”。 公司上半年实现营业收入11.72亿元，同比增长24.30%;实现归属于上市公司股东的净利润2.37亿元，同比增长31.72%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润1.87亿元，同比增长7.31%。并且使用自筹资金6.9853亿元，投资建设“ArF高端光刻胶研发平台建设项目”，项目预计于2023年末建设完成。 在半导体光刻胶的研发、生产及销售方面，公司旗下半导体光刻胶生产企业--北京科华，产品应用领域涵盖集成电路（IC）、发光二极管（LED）、分立器件、先进封装、微机电系统（MEMS） 等，产品覆盖 KrF（248nm）、G/I 线（含宽谱）、Lift-off 工艺使用的负胶，用于分立器件的BN、BP 系列正负性胶等类型。其中 G 线光刻胶市场占有率超过 60%；I 线光刻胶和 KrF 光刻胶是国内 8-12 寸集成电路产线主要的本土供应商。公司能够满足主流半导体公司在8 寸、12 寸线的需求， 并持续推进 KrF、高分辨 I 线光刻胶等高端光刻胶的国产化替代进程。 在显示面板光刻胶方面，公司旗下显示面板光刻胶生产企业--北旭电子是中国大陆第一家 TFT-LCDArray 光刻胶本土生产商，也是国内最大的液晶正性光刻胶本土供应商，其产品在国内最大面板客户京东方的占有率超 45%，国内市场占有率近 20%，全球市场占有率约 9%，随着积极推进国内面板其它头部客户导入测试以及 Halftone 产品的突破，市场份额还将进一步提升。 另外，彤程新材发布公告表示，根据公司发展战略，进一步深化公司在电子材料领域的业务布局，弥补国内光刻胶技术与全球先进水平的差距，研究ArF光刻胶，特别是193nm湿法光刻胶的工业化生产技术，确定193nm光刻胶工程化放大技术、标准的生产流程及质量管控体系，研发生产光刻胶高端产品。 公司从实际生产经营需求出发，决定通过公司全资子公司-上海彤程电子材料有限公司（以下简称“彤程电子”）在上海化学工业区内使用自筹资金人民币6.9853亿元，投资建设“ArF高端光刻胶研发平台建设项目”，项目预计于2023年末建设完成。 图源：彤程新材公告截图 据其介绍，ArF光刻胶工业化生产开发主要涉及的内容包括： （1）193nm光刻胶生产过程中的微小颗粒的控制技术，研究0.15μm及以下颗粒在精细化生产过程中的控制技术； （2）193nm光刻胶中痕量金属离子杂质的控制技术，从原料、生产设备及生产工艺等环节入手研究ppb/ppt级别的金属离子含量控制技术,以及国产化原料及装备的可替代性； （3）对光刻胶的作用机理进行研究，通过对缺陷的检测发现及成因分析，提高193nm光刻胶生产批次稳定性控制技术。 其强调 ：193nm(ArF)高端光刻胶产品的开发技术难度大、质量要求高，产品基本掌握在国外专业厂商手中。本项目计划引进高端专业技术团队，负责关键配方研制、关键应用技术开发、质量管控及产品生产。同时充分利用公司多年在集成电路配方型功能性化学材料开发和应用方面所积累和拥有的技术经验，与引进技术团队充分配合协作，确保本项目开发成功。 本项目建设周期为2.5年，预计于2023年12月完成研发平台建设，项目预计于2023年末建设完成。目前，项目环境影响评价已完成。 彤程新材表示，该投资事项已经公司董事会审议通过，但鉴于公司最近12个月通过彤程电子进行相关项目的投资金额达12.6841亿元，累计金额达到公司最近一期经审计净资产的50%以上，根据《上海证券交易所股票上市规则》及《公司章程》等相关规定，本次对外投资事项尚需提交股东大会审议批准。 微信公众号：微电子制造

8月11日晚间，晶瑞电材发布公告称，董事会逐项审议通过了《关于进一步明确公司向不特定对象发行可转换公司债券具体方案的议案》，将于近期向不特定对象发行可转换公司债券，本次发行拟募资不超过5.23亿元，用于集成电路制造用高端光刻胶研发等项目。 此前的7月27日，晶瑞电材就已取得中国证券监督管理委员会出具的《关于同意苏州晶瑞化学股份有限公司向不特定对象发行可转换公司债券注册的批复》（证监许可 2507号），同意公司向不特定对象发行可转换公司债券的注册申请。 据公告显示，本次发行的可转债的初始转股价格为50.31元/股，不低于募集说明书公告日前二十个交易日公司股票交易均价和前一个交易日公司股票交易均价之间较高者。本次发行的可转债票面利率为第一年0.2%，第二年0.3%，第三年0.4%，第四年1.5%，第五年1.8%，第六年2.0%。 据发行说明书显示，晶瑞电材本次发行拟募资不超过5.23亿元，用于集成电路制造用高端光刻胶研发等项目。 据了解，集成电路制造用高端光刻胶研发项目选址位于江苏省苏州市吴中经济开发区善丰路168号晶瑞电子材料股份有限公司现有厂区内，项目总投资48,850万元，拟使用募集资金不超过31,300万元。由晶瑞电材负责实施建设、运营，建设期限为36个月。 该项目旨在通过自主研发，打通ArF光刻胶用树脂的工艺合成路线，完成ArF光刻胶用树脂的中试示范线建设，满足自身ArF光刻胶的性能要求。实现批量生产ArF Immersion光刻胶的成套技术体系并完成产品定型，技术指标和工艺性能满足90～28nm集成电路技术和生产工艺要求。 为保障该项目关键设备的技术先进性和设备如期到位，晶瑞电材通过Singtest Technology PTE. LTD.进口ASML光刻机设备、购置ArF光刻机配套设备、建设研发大楼。 目前，华虹半导体、长鑫存储等国内主流的集成电路制造商是晶瑞电材客户，已成为该公司战略合作伙伴。2020年6月，苏州瑞红与合肥长鑫于“长三角一体化发展重大合作事项签约仪式”上签署光刻胶相关合作协议。晶瑞电材表示，未来公司将联合华虹半导体、长鑫存储等下游客户共同推进高端光刻胶产品研发和应用。 此外，本次募资也包括了阳恒化工年产9万吨超大规模集成电路用半导体级高纯硫酸技改项目一期建设项目总投资1.87亿元，拟使用募集资金不超过6700万元，项目建成后将形成年产3万吨超大规模集成电路用半导体级高纯硫酸生产能力。 晶瑞电材表示，光刻胶项目已完成ASML光刻机、匀胶显影机、扫描电镜、台阶仪等研发设备购置，其他研发设备正在积极购置当中。最终产业化完成后，晶瑞电材可提供90～28nm先进制程用ArF光刻胶，满足当前集成电路产业关键材料市场需求。 不过，晶瑞电材亦在公告中提示，虽然公司具备充足研发人员储备、多年研发量产经验，全球光刻胶技术逐步由g/i线向EUV发展的技术迭代路线清晰且国外企业已有ArF产品研发完成并量产的现状，但目前公司ArF光刻胶研发仍处于起步阶段，尚未确定主配方。故本公司在ArF光刻胶研发过程中存在一定技术研发风险。