原创 反激变换器交叉调整率推导

2009-11-3 13:45 955 5 5 分类: 消费电子
按照NS的文档,我把计算过程重新推算一便,首先,前端只用TVS嵌位,只考虑变比和漏感不同:
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推算过程为:
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以上分析过程,只考虑漏感和变比的大小,因为这两个是最主要的因素,忽略了暂态过程,假设Vo是稳定的,应该说只能定性的分析得出结果。
以下用RCD的暂态分析结果(采用比较简单的过程分析):
分析等效图形如下:
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关断过程后,简单的认为,励磁电感对副边充电(有段延迟时间不计),漏感放电结束后没有震荡(认为电压是恒定的,本质上始终存在Ring),副边对电容充电,副边先后完成充电。
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分析结果如下:
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从此可以看出,负载越小的误差越大(电流越大)。第二个就是降低Vc的电压的时候(降低RCD的电阻),不过由此会造成能耗的增加。
此篇写完会根据以上的一些结论做一些改善措施。




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