原创 电容的物理基础

电容其实就是两个导体间填充介质。本身没有电流，当导体上有电荷变化时，就会产生电流。

              i=dq/dt

              i=cdu/dt

其实并没有电流产生，是一个导体上正电荷变化，另外一个导体上负电荷变化，麦克斯韦称这种电流为位移电流，他认为真空并不是空的，而是由一种叫做以太的介质，电压是这种以太的电荷分解，产生电流。

   电容量 c=εr/4Πkd,由此公式可以得出，和电压，电流无关。而与横截面，介质，间距有关。

   然后说到两个电容。球面电容和平板电容。

   球面电容就是类似于同轴电缆那种，c=4πεr

 这里有个经验法则，一个直径为1in的线段，大约有2nf的电容。所以这也许就是要删除dangilng_line的原因。

   平板电容很容易理解，c=εs/d

电源的轨道塌陷，如果去耦电容的时间很长，则芯片的电源供电就会足够。

  T=cx0.05x v^{2 /p}

如果使用3m的c-fly介质，则电容足够大，时间可以长，可以改善轨道塌陷问题。但是电源平面和地平面之间的电容很小，不能做去耦用。

那我就有一个疑问，那是不是去耦电容越大越好，是否会产生什么问题呢？