共集共射(cc - CE)cc - cc)和达林顿5组态都比较相近。
它们并入所示。
偏置电流源J瑚船表示保持射随器晶体管Q这电流源可能中的作用是提高电流增益和增大输入电阻。
为了分析低频小信号电路,两晶体示的ro的影响。
现在来计算这复台组态的有效参数r,并指出这此复杂的参数用上角标同时对这复合器件的端电压和端电流也加上上标①cascode魁指共射共基或共源共橱级联艘大器。
第三章单组放大器与多级放大器对于偏置电流为零的特殊情况的射极电流等于Q则r,和r的比值为Q、的射极电流为,小信号等效网络可用于分析这组态的小信号器件模型。
摄驱动第二个管的基极。
由偏置因子控制Q1的射投电流。
三端复合晶体管可用于代替单独的共射共基组态放大器等价于已讲过的共集共集组态。
兰于共射放大器耐的集电极连接于输出端而代替耄嚣外,其与共集共射连接很相似。
这改变的作用之是减小对放大器输出电阻的影响的r同时,因为Q.昀集电极基极电容由输入端连接到输出端,增大了输入电容共集共射组态常用于集成小信号放大器中。
达林顿连接常参照共集共集和共集共射如前所述,达林顿组态用于提高取极型晶体管的电流增益,而对纯MOS管电路并无作第三章单级放大器与多级放大器这组态不仅考虑到无限大的输人电阻和MOS晶体管的电流增益,而且还考虑到了双极型晶体管太的跨导。
和g对于图中两个器件 100,rb ooloo肛A、的射楹电流为11 则国3 - 35因此,复合晶体管与单管相比有很高的输入电阻和电流增益。
串接组态首先是为真空管电路而发明的。
对于真空管控制电流端为栅极串接组态为共阴电路和共栅电路串联在第级的阳极与第二级的阴极因为它能增大输出电阻和减小不必要的放大器的反馈电容后者是串接组态的独特优势,商输出电阻可用于降低偏置参考电源对电源电压改变的偏置敏感程度并可得到很大的电压增益。
这些应用将在第四章中讲述。
关于频率响应将在第七章中讲述。
这里关注这组态的低频小信号特性。
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