原创 日系晶体管电路设计与美系之间的思路差异（1）（初学者的分析 大神勿扰）

作为一个电子信息工程的菜鸟，我只是发表个人对日美之间晶体管电路设计的分析思想的看法。

首先介绍日系的一个简单的晶体管放大电路设计流程：

1.参考文献：《晶体管电路设计》作者：铃木雅臣（金嗓子公司技术总监）

铃木先生在设计一个简单的三极管功放的时候采用，先看发射极的方法，根据给定参数，确定发射极的：

例如：参数条件：A = 14Db 输出电压最大值为：5V。 频率特性和阻抗暂不考虑。

按照铃木先生的说法：应该先确定发射极电阻的电压：假设电源电压为5v,三极管选择2sc2458，那么由于Vbe会随着温度的变化而变化，为了使得信号不失真，那么Re(发射极电阻)的电压必须大于1v我们取2V。

那么根据A≅Rc/Re,我们得知RC的电压应该为10V。另，查看手册发现下图：

 我们假设Ie就是40MA（因为此时管子的频率特性最好），这样子我们就能分别算出Re和Rc了。

如何计算基极偏置电阻呢？

铃木先生的观点是这样子的：首先看手册查出Hfe的数值，那么偏置电流的数值可以设定为（按照他的习惯）10/Hfe（就是所谓的10/b）

这个管子的Hfe假设为100 那么偏置电流就是0.01mA。

此时如图：R3的电压为R4的电压加上Vbe的电压，且偏置电流为0.01ma我们就能求出R3的正确阻值了。

求出了R3的阻值，

那么R2的阻值也就能求出来了。这是日系设计的思路与方式。明天给大家介绍美式的思路。