原创【转】看穿芯片之概述

 2016-4-21 21:07  1040 13 13 分类: 工程师职场

曾经遇到一个问题，两个芯片，同样的Cortex-A53，同样的总线，同样的频率，同样的缓存和内存大小，跑同样的内存测试，性能差了40%。而经过优化之后，反超了20%。想搞清楚为什么，就需要知道，访存路径上有哪些影响因素？系统瓶颈可能有哪些地方？性能优化可以怎么做？等等。最近，这些问题终于有了答案，我把它们写下来，给我自己一个总结，也给有同样困惑的人一个解释。

文章会很长，我想从CPU怎样访问内存这样一个既简单也复杂的问题入手，自问自答，并逐步引入更多的疑问和答案，最终把访存通路上每一个环节的硬件结构，特征，性能分析以及未来的发展趋势都加进去。很多概念，像缓存，同步，一致性，壁垒，锁等，并不复杂，可是他们是怎么在ARM SoC中实现的，效率又如何，我觉得还是有必要搞清楚。最后，我会重新分析文章开头的问题。这些知识并不是在重复一个处理器或者SoC的结构，而是分析硬件会怎样影响软件，软件如何利用硬件。并且，我是程序员，从来没有做过芯片设计，所有的知识都是从程序员的角度出发的，所以软件狗们应该能看懂。

在开始之前，先说些轻松的话题。

芯片厂商向客户介绍产品，从硬件角度说的最多的就是功能，性能，功耗和价格。功能这个主要就是看芯片提供了什么接口，比如闪存，内存，PCIe，USB，SATA，以太网等，还看内部有什么运算模块，比如浮点器件，解码器，加解密，图形加速器，网络加速器等等。性能，对CPU来说就是的测试程序能跑多少分，比如Dhrystone，Coremark，SPEC2000/2006等等。针对不同的应用，比如手机，还会看图形处理器的跑分；又比如网络，还会看包转发率。当然，客户还会跑自己的一些典型应用程序，来得到更准确的性能评估。功耗就是在跑某个程序的时候，整个芯片的功率是多少瓦。通常，这时候处理器会跑在最高频率，但这并不意味着所有的晶体管都在工作，由于power gating和clock gating的存在，那些没有被用到的逻辑和片上内存块并没在完全耗电。我看到的芯片公司给出的处理器最大功耗，通常都是在跑Dhrystone。这个程序有个特点，它只在一级缓存之上运行，不会访问二级缓存，不会访问内存。这样得出的其实并不是真正的最大功耗。但是从实际经验看，没有应用程序能让CPU消耗更高的能量，所以这么测量最大功耗也没什么错。当然，作为整体的芯片功耗，还得包括各种加速器和接口，尤其是会被用到的模块。

芯片公司宣传产品的时候，会有各种各样的玄机在里面，任何一家都会把好看的数据放上来。这些数据大都是真实的，可是怎么摆这些数据是一门技术活，摆的好能误导不少观众，而x86，ARM，MIPS，PowerPC， ARC阵营的各家产品经理和市场人员都是这方面的好手。我会在深入介绍之后专门列一章说这些窍门。

在设计SoC的时候，性能，功耗和价格就转换成了PPA。啥是PPA？其实就是性能，功耗和面积。其中，性能有两层含义。在前端设计上，它指的是每赫兹能够跑多少标准测试程序分。设计处理器的时候，会有个多少级流水线的说法。通常来说，流水线级数越多，芯片能跑到的最高频率越高，这个大家应该都知道。可是并不是频率越高，性能就越高。这和处理器构架有很大关系。典型的反例就是Intel的奔腾4，30多级流水，最高频率高达3G赫兹，可是由于流水线太长，一旦指令预测错误，重新抓取的指令要重走这几十级流水线，代价是很大的。而它的指令预测又极大依赖于编译器来优化，结果当时编译器又没跟上，导致它总体性能低下。你看MIPS或者PowerPC的处理器频率都不高，但是每赫兹性能相对来说还不错，总体性能就会提高一些。所以看性能要看总体跑分，而不是每赫兹跑分。前一段时间龙芯在宣传的时候就钻了这个空子，号称每赫兹都赶上至强了，但是也就能跑个1Ghz多，而16核至强可以到将近3Ghz。

性能的另外一个含义就是指频率，这是从后端设计角度来说的。通常后端的人并不关心每赫兹能达到多少跑分，他们只看芯片能跑到多少频率。频率越高，在每赫兹跑分一定的情况下，总体性能就越高。请注意对于那些跑在一级缓存的程序，处理器每赫兹跑分不会随着频率的变化而变化。当然如果考虑到多级缓存，总线和外围接口，那肯定就不是随频率线性增加了。系统级的性能问题很复杂，我会在以后慢慢展开。

那哪些因素会影响频率?就算只从后端角度考虑，答案也很多。我并不是做后端和制程的，只能把道听途说的写下来，仅供参考。

首先，受工艺的影响。现在先进的半导体工厂就那么几家，Intel，台积电，三星，联电，格罗方德。拿台积电来说，它目前提供16纳米的工艺，其中还分了很多小结点，比如FFLL++和FFC。每个小节点各有特点，有些能跑到更高频率，有些功耗低，有些成本低。在不同的工艺上，芯片能跑的最高频率不同，功耗和面积也不同。

其次，受后端库的影响。台积电会把工艺中晶体管的参数抽象出来，做成一个物理层开发包PDK，提供给eda工具厂商，IP厂商和芯片厂商。而这些厂商的后端工程师，就会拿着这个物理层开发包，做自己的物理库。物理库一般包含逻辑和sram两大块。根据晶体管的channel length，会有不同特性，适合于不同的用途的单元cell。而怎么把这些不同特性的库里的cell，合理的用到不同的前端设计模块，就是一门大学问。一般来说，channel length越短，电子漂移距离越短，能跑的频率就越高。可是，频率越高，功耗就越大，并且是指数上升。除了cell之外，还会有9T/12T这种说法，这里的T是Track，就是cell的高度。T越大，电流越大，越容易做到高频，相应的面积也越大。

接下来，受布局和布线的影响。芯片里面和主板一样，也是需要布线的。每一层都有个利用率的说法，总体面积越小，利用率越高，可是布线就越困难。在给出一些初始和限制条件后，EDA软件会自己去不停的计算，最后给出一个可行的频率和面积。

再次，受前后端协同设计的影响。比如，某个访问sram的操作，如果知道处理器会花多少时间，用哪些资源，就可以让sram的空闲块关闭，从而达到省电的目的。这种技巧可能有上千处，不自己设计处理器是没法知道的，哪怕你有RTL代码。

再往上，就是动态电压频率缩放DVFS。这里需要引入功耗的组成概念。芯片功耗分成动态和静态两部分，静态就是晶体管漏电造成的，大小和芯片工艺，晶体管数，电压相关，而动态是开关切换造成的，所以和晶体管数，频率，电压相关。具体公式我就不列出了，网上有。控制动态功耗的方法是clock gating，频率变小，自然动态功耗就小。控制静态功耗的方法是power gating，关掉电源，那么静态和动态功耗都没了。还可以降低电压，那么动态功耗和静态功耗自然都小。可是电压不能无限降低，否则电子没法漂移，晶体管就不工作了。并且，晶体管跑在不同的频率，所需要的电压是不一样的，拿16nm来说，往下可以从0.9V变成0.72V，往上可以变成1V或者更高。可千万不要小看了这一点点的电压变化，要知道，动态功耗的变化，是和电压成三次方关系的。1V和0.7V，电压差了50%，动态功耗可以差3.4倍。我看到过的数据，在500Mhz以下，处理器的动态功耗是小于静态功耗的，变成3GHz的时候，远高于静态功耗。

再往上，就是软件电源管理，控制功耗了。芯片设计者把每个大模块的clock gating和power gating进行组合，形成不同的休眠状态，软件可以根据温度和运行的任务，动态的告诉处理器每个模块进入不同的休眠状态，从而在任务不忙的时候降低功耗。这又是一个很大的话题，我以后再展开。

从上面我们可以看到，功耗和性能其实是和在一起的。而芯片设计者可以用不同的工艺和物理库，设计出最高可运行频率，然后软件控制芯片动态运行频率和功耗。

那面积呢？其实也是相辅相成的。由于针对不同的逻辑，sram和布线，选用了不同的物理库cell，不同的track，形成的芯片面积也会不一样。通常来说，越是需要跑高频的芯片，所需的面积越大。频率差一倍，面积可能有百分之几十的差别。你可别小看这百分之几十，对晶体管来说，面积就是成本，晶圆的总面积一定，价钱一定，那单颗芯片的面积越小，成本越低，并且此时良率也越高。

芯片成本除了制造费，还来自于授权费，工具费，流片费，运营开销等，通常手机处理器这样复杂的芯片，没有上千万美元是不可能做出来的。就算做出来，没有卖掉几百万片，那是肯定亏的。

最后还想提下ARM的大小核设计。其最初的目的是想设计两组核，小核每赫兹性能低，面积小，跑在低频；大核每赫兹性能高，面积大，跑在高频。运行简单任务，大核关闭，小核在低频，动态功耗低，静态功耗占上风，并且由于面积小，总体功耗更低。而大核用高频运行复杂任务。和x86的单纯调节电压频率比，增加了一点低频小核面积，和整个芯片的面积比，其实没多多少。

那为什么不让小核跑在高频运行复杂任务呢？理论上，由于每赫兹性能低，对于相同的任务，小核必须跑在比大核更高的频率才能完成，这就意味着更高的电压。此时，动态功耗占上风，并且和电压成三次方关系。最终的功耗会高出大核不少。此外，我们前面已经解释过，小核要跑在高频，面积会增大不少，可能比大核还要大。我们从里面可以看到存在一个平衡点。这个平衡点并不好找。拿A53/A57在28nm上举例，当它们跑在1.2Ghz的时候，功耗可能差两倍，性能却只差50%。而平衡点可能要达到2.5Ghz。事实上，很多手机芯片的大小核都是使用同样的处理器，跑在不同高低频率。