原创 理想二极管-电流倒灌控制器和相关带有此功能的产品探讨

理想二极管控制器- 电流倒灌的理想选择

假如有人将24V连接到您的12V电路上，将发生什么？倘若接地线和其他线路因疏忽而反接，电路还能安然无恙吗？即使此类事件的发生概率很低，但只要出现任何一种就将彻底损坏电路板。常用的工业系统、电信服务器、存储和基础设施等设备为了增加功率容量，通常通过两个或多个供电来增加功率容量，而像电动工具电池和电动两轮车等场景，虽然不是多组供电，这些都需要有防止电流倒灌的产品肖特基或者是PMOS防止充电头带电， 汽车系统设计使用功率肖特基二极管，可在电池反向和各种汽车电气瞬变条件下提供保护，采用肖特基二极管提供反极性保护以防止现场接线错误，并提供对雷电和工业浪涌的抗扰能力，也或者通过PMOS的方式保护防止电源反接

无论是采用肖特基和PMOS都有非常明显的缺点

肖特基二极管的正向压降会在大电流下产生显著的功率损耗，从而 更需要使用散热器和更大 PCB 空间来进行热管理。正向传导损耗和相关的热管理会使效率降低，并使系统成本和空间增加，同时，如果两个电源通过肖特基给负载供电，具有较高电压和较低正向压降的肖特基电源将承受大部分电流，而肖特基二极管的正向压降具有负温度系数，随着温度的升高而降低，这会导致单个电源承载整个负载电流，导致损坏，所以要慎重选择散热设计和热管理，增加了工程师工作量和设计难度，而采用了P沟道的MOS做防反的的应用，虽然降低了导通电阻，能够起到电池极性反接的作用，但是在快速的场景这种Ｐ沟道的MOSFET保护功能不会阻止反向电流流回输入端，后面负载电容将要放电，同时采用PMOS的结构，控制电路多且复杂，PMOS单位面积的通电能力不如NMOS，而且越是高压的PMOS成本高，市场选择少，给选型和供货带来了很大挑战，随着系统功率水平的提高以及功率密度需求的增加，肖特基二极管和PMOS不再是新一代高性能系统设计的优先选择。采用理想Oring控制器来提高电池输入保护，电源ORing 应用的效率和性能成为迅速发展起来的潮流

无锡明芯微电子的多款Ｏr-ing控制器就是针对此应用开发的产品，同时其E-Fuse产品， 高边开关产品都带有电流倒灌的pin脚，方便客户外接MOS防止电流倒灌

其中MX5050T和MX16171D 是最高工作电压40V的理想二极管控制器，静态功耗50uA， Ｖ(sd)reg是30mV也就是说Ｖin-Vout>30mV的时候，MOS导通，Vsd(rev)是30mV意思是说vin-vout<-30mV关断倒灌电流

注意在使用的时候把Ｖs接到Vin效果更好，这样在其他反灌电流的i情况下芯片电荷泵不工作，

MX16171D100是最高工作电压100V的理想二极管，Ｖsd(reg)是15mV,，Ｖsd(Rev)是15mV，而ＭX74610是一款零静态功耗低理想二极管，最高工作电压60V，MX5052S是集成了      MOS的理想二极管，无需外接MOS了，但是固定了RDSON=10毫欧，更进一步你如果喜欢高边开关并且带有过流过压保护的产品，你可以选择如下产品，他们都带有防止电流倒灌的功能，美国德州仪器的LM5069没有这个背靠背MOS的功能，只是高边开关带有过流保护，

MX5069可以外接Sense电阻做过流保护，外接接背靠背的MOS，不只是过流保护也带有过压欠压和防止电流倒灌

MX26631集成了40V的LDMOS的E-Fuse产品，可以外接NMOS防止电流倒灌

MX25947和MX25924集成了30V LDMOS的E-Fuse产品， 可以外接NMOS防止电流倒灌

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