原创 场效应管的选用及注意事项

2022-3-31 13:36 718 7 7 分类: FPGA/CPLD

场效应管是电压控制型,三极管是电流控制型。在只允许从信号源获取较小电流的情况下,应选用场效应管;在信号电压较低,又允许从信号获取较大电流的情况下,应选用三极管。

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场效应管输人电阻高,适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小,适用于低噪声放大器的前置级。

(1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管子的耗散功率、最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

(2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压,P沟道管栅

极不能加负偏压等。

(3)MOS场效应管由于输入阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOS场效应管放人料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管子的防潮。

(4)为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都

必须有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在接人电路之前,管子的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管子时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;在未关断电源时,绝对不可以把管子插入电路或从电路中拔出

(5)在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5mm处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。

(6)使用VMOS 管时必须加合适的散热器。以VNF306为例,该管子加装140x140x4(mm)的散热器后,最大功率才能达到30W。

(7)多管并联后,由于极间电容和分布电容相应增加,使放大器的高频特性变坏,通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此,并联复合管一般不超过4个,而且在每管基相或栅极上串接防寄生振荡电阻。

(8)结型场效应管的栅源电压不能接反,可以在开路状态下保存,而绝缘栅型场效应在不使用时,由于它的输入电阻非常高,须将各电极短路,以免外电场作用而使管子损坏。

(9)焊接时,电烙铁外壳必须装有外接地线,以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接,也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅场效应管时,要按源极-漏极-栅极的先后顺序焊接,并且要断电焊接。

(10)用25W电烙铁焊接时应迅速,若用45~75W电烙铁焊接,应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型场效应管可用万用表电阻挡定性地检查管子的质量(检查各PN结的正反向电阻及漏源之间的电阻值),而绝缘栅场效管不能用万用表检查,必须用测试仪,而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时,则应先短路再取下,关键在于避免册极悬空。

在要求输入阻抗较高的场合使用时,必须采取防潮措施,以免由于温度影响使场效应管的输入电阻降低。如果用四引线的场效应管,其衬底引线应接地。陶瓷封装的芝麻管有长敏特性,应注意避光使用。

对于功率型场效应管,要有良好的散热条件。因为,功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作。

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