原创 三、《芯片从技术到产业全景揭秘》芯片的制造

三、芯片的制造

1、制造核心流程

（1）晶圆制备：以高纯度硅为基底，通过拉晶、切片、抛光制成晶圆。

（2）光刻：光刻、离子注入、薄膜沉积、化学机械抛光。

（3）刻蚀与沉积：使用干法刻蚀（等离子体）精准切割图形，避免侧壁损伤。

（4）掺杂：注入离子形成PN结特性，实现晶体管开关功能。

2、材料与工艺创新

（1）新材料应用：

高迁移率材料（FinFET中的应变硅、GaN在射频芯片中的应用）；

新型封装技术（3D IC、TSV硅通孔）提升集成度。

制程从7nm到3nm，设计架构由FinFET转向GAA。