原创 求关注--关于MOS的物理性质

看到这个论坛里不少人写过MOS的物理性质，但是大概读了一下，数式比较少，不是很让人易懂，我的VLSI系列有一部分是要专门写MOS的，但是鉴于大家需求，就着手计划写MOS的物理特性。我写的这个MOS部分，不只是大学本科的那些基础，更多的是来自MOS开发与设计公司（Intel，AMD）和教授所写的论文结合而成。因为大家对MOS的普及认识还是很欠缺的，那些基础很多大都是在180nm级别以上的，想要了解世界最先端的14nm技术的实现，需要大量的量子力学的知识。我想通过这个让大家表一下态，是不是要现在就引入MOS的详细解说，或者是跟着我VLSI系列走（比较慢）。求留言