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原创 MOS管驱动基础和时间功耗计算

 2009-11-25 22:17  8117 9 15 分类: 模拟

我们先来看看MOS关模型：

Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。

Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是
耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。
Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。
这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。
由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于Vds电压要比原来大很多，这个称为米勒效应。
由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。

开启和关断的过程分析：

点击看大图

功耗的计算：
MOSFET 驱动器的功耗包含三部分：
1. 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。
与MOSFET栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。
2. 由于MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。
高电平时和低电平时的静态功耗。
3. MOSFET 驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。
由于MOSFET 驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管（FET）在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。

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文章评论（8条评论）

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wjx943_536273043 2019-2-24 16:49

好文章

用户1492696 2012-8-10 14:39

作者太厉害了，年轻有为啊。您毕业多久就达到这个水平了？

用户149745 2010-4-7 16:50

好文章！能详细解释一下功率计算公式中的QG、Fdrv等参数的意义吗？

用户1599113 2010-2-25 14:51

好文章

用户1526900 2010-2-16 12:39

先记一下

用户187135 2009-12-2 09:21

不错

用户1528688 2009-11-28 18:07

GOOOOOOD

brayden_401101290 2009-11-26 18:52

不错的文章！

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