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原创
MOS管驱动基础和时间功耗计算
2009-11-25 22:17
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分类:
模拟
我们先来看看MOS关模型:
Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,
其电容值是由实际
区域的大小和在不同工作条件下保持恒定
。
Cgd:是两个不同作用的结果。
第一
JFET
区域和门电极的重叠,第二是
耗尽区电容(非线性)。
等效的Cgd电容
是一个Vds电压的函数。
Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。
这些电容都是由Spec上面的Crss,Ciss和Coss决定的。
由于Cgd同时在输入和输出,因此等效值由于Vds电压要比原来大很多,这个称为米勒效应。
由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的,我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。
开启和关断的过程分析:
功耗的计算:
MOSFET 驱动器的功耗包含三部分:
1. 由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。
与MOSFET栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的,特别在很低的开关频率时。
2. 由于MOSFET 驱动器吸收静态电流而产生的功耗。
高电平时和低电平时的静态功耗。
3. MOSFET 驱动器交越导通(穿通)电流产生的功耗。
由于MOSFET 驱动器交越导通而产生的功耗,通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N 沟道场效应管(FET)在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。
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wjx943_536273043
2019-2-24 16:49
好文章
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用户1492696
2012-8-10 14:39
作者太厉害了,年轻有为啊。您毕业多久就达到这个水平了?
回复
用户149745
2010-4-7 16:50
好文章! 能详细解释一下功率计算公式中的QG、Fdrv等参数的意义吗?
回复
用户1599113
2010-2-25 14:51
好文章
回复
用户1526900
2010-2-16 12:39
先记一下
回复
用户187135
2009-12-2 09:21
不错
回复
用户1528688
2009-11-28 18:07
GOOOOOOD
回复
brayden_401101290
2009-11-26 18:52
不错的文章!
回复
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