提出了一种新型TRIPLE RESURF 结构的LDMOS器件，与普通的TRIPLE RESURF结构不同的是埋层采用了分区注入，即在靠近源端一侧采用较高注入剂量，在靠近漏端一侧则采用较低的注入剂量。因而会降低漏端表面电场峰值，提高了击穿电压。利用SILVACO TCAD软件分析了各个参数对击穿电压和比导通电阻的影响，与普通的TRIPLE RESURF结构相比，在比导通电阻不变时，击穿电压则提高了15 V。