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SiC SAM APD紫外探测器的模拟研究
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时间:2019-06-10
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资料介绍
文中基于多种理论模型构建了4H-SiC SAM APD结构紫外光电探测器的基本物理模型。模拟研究了包括反向伏安特性、离化率、光谱响应在内的光电效应特性,并通过改变SAM结构各层厚度,得到了厚度与击穿电压、光谱响应的关系,从结果可以看出:减小P+层厚度、增大N、N+层厚度可有效增大光电流,提高探测器性能。
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