TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比，TrenchFET IV的导通电阻(RDS(ON)和栅极电荷(QG，QGD)数值都有所减小，降低了同步DC/DC转换器中的损耗。过去，降低RDS(ON)通常会以更高的栅极电荷做为折衷。但TrenchFET IV采用一种新的高密度设计，同时实现了优化的栅极电荷水平和更低的RDS(ON)。……