随着半导体工艺的不断进步，集成电路得以具备无线基础设施直接变 频接收机所需的性能，能够满足多模式通信系统的需求。 作者：Cecile Masse 直接变频架构促使着宽带无线电支持第三代(3G)和第四代(4G) 无线网络中的多模式和多标准要求，随之要求能够处理全球 400 MHz 至 4 GHz 范围内的信号，因而基础设施和移动设备开 发商寻求系统器件达到新的性能水平。幸运的是，随着硅锗 (SiGe)和 CMOS 半导体工艺的不断改进，集成度得以提高，同 时功耗有所下降。利用直接变频架构，无线电设计人员还能够 实现较宽的设计频率范围，并可在单个硬件平台上调整带宽。 与无线基站的传统 IF 采样接收机方法相比，该架构具有许多 优点，并结合平衡防阻塞的 RF 解调器和模数转换器(ADC)技 术的优势，利用自适应性校正技术来处理残余信号损坏。 3G 长期演进(LTE)无线通信标准支持 1.4 至 20 MHz 范围内的 各种通道带宽。无论设备支持仅 LTE 载波，还是 3G (WCDMA) 或 LTE (OFDM)混合载波，通常要求采用的最低带宽是 20 MHz。由于带宽范围很宽，因此可以接收多个相邻或非相邻载 20MHz WCDMA (Eb/No)和其他噪声贡献余量。3G LTE标准要求至少 60dB的总 半导体简化直接变频设计 镜像抑制性能。此外，在指定解调器本振(LO)相位噪声时，还 必须考虑到宽带接收机中相互混频这一重要现象。LO相位噪 声会对附近的未滤波阻塞进行调制，向所需通道中增加 随着半导体工艺的不断进步，集成电路得以具备无线基础设施直接变 Pblocker_dBm - LO_Noise dBc/Hz噪声。 频接收机所需的性能，能够满足多模式通信系统的需求。 直接变频信号链（图 1）可以为 3G和 4G系统提供低成本的接 作者：Cecile Masse 收机解决方案。其架构没有其他接收机复杂，并且无需实中频 直接变频架构促使着宽带无线电支持第三代(3G)和第四代(4G) 采样架构中使用的多个表面声波(SAW……